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公开(公告)号：CN110137203A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910370969.0
申请日：2019-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/28
Abstract: 本发明提供了一种像素传感结构、传感装置及像素传感结构的形成方法。所述像素传感结构包括：衬底；第一晶体管，位于所述衬底表面，包括第一源电极、第一漏电极、第一有源层、第一顶栅电极和第一漏极金属层；所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或者非晶氧化物薄膜晶体管；第二晶体管，位于所述衬底表面，包括第二源电极、所述第一漏极金属层、第二底栅电极、第二顶栅电极和第二有源层；所述第二底栅电极与所述第一顶栅电极同层设置；所述第二有源层位于所述第二源电极与所述第一漏极金属层之间；所述第一漏极金属层与所述第一漏电极电连接。本发明提高了像素传感结构的开关速度，有效改善了传感装置的性能。
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公开(公告)号：CN110137203B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910370969.0
申请日：2019-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/28
Abstract: 本发明提供了一种像素传感结构、传感装置及像素传感结构的形成方法。所述像素传感结构包括：衬底；第一晶体管，位于所述衬底表面，包括第一源电极、第一漏电极、第一有源层、第一顶栅电极和第一漏极金属层；所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或者非晶氧化物薄膜晶体管；第二晶体管，位于所述衬底表面，包括第二源电极、所述第一漏极金属层、第二底栅电极、第二顶栅电极和第二有源层；所述第二底栅电极与所述第一顶栅电极同层设置；所述第二有源层位于所述第二源电极与所述第一漏极金属层之间；所述第一漏极金属层与所述第一漏电极电连接。本发明提高了像素传感结构的开关速度，有效改善了传感装置的性能。
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公开(公告)号：CN110137204A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910402350.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及传感技术领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片。所述有机薄膜晶体管型传感像素电路包括像素单元，所述像素单元包括：衬底；同层设置的第一底栅电极和第二底栅电极；覆盖所述第一底栅电极和第二底栅电极的底栅绝缘层；同层设置的第一源极、公共电极、第二源极，且所述公共电极位于所述第一源极与所述第二源极之间；第一有机半导体层；第二有机半导体层；覆盖所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的顶栅绝缘层，且所述顶栅绝缘层的电容值大于所述底栅绝缘层；同层设置于的第一顶栅电极和第二顶栅电极。本发明不仅便于调控有机薄膜晶体管的阈值电压，而且有利于提升传感微阵列中传感器的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137204B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910402350.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及传感技术领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片。所述有机薄膜晶体管型传感像素电路包括像素单元，所述像素单元包括：衬底；同层设置的第一底栅电极和第二底栅电极；覆盖所述第一底栅电极和第二底栅电极的底栅绝缘层；同层设置的第一源极、公共电极、第二源极，且所述公共电极位于所述第一源极与所述第二源极之间；第一有机半导体层；第二有机半导体层；覆盖所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的顶栅绝缘层，且所述顶栅绝缘层的电容值大于所述底栅绝缘层；同层设置于的第一顶栅电极和第二顶栅电极。本发明不仅便于调控有机薄膜晶体管的阈值电压，而且有利于提升传感微阵列中传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN107248393B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710605378.8
申请日：2017-07-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
Abstract: 一种像素驱动单元及其形成方法、显示背板、像素驱动电路，像素驱动单元包括：基板，所述基板内具有第一晶体管，为低温多晶硅薄膜晶体管或非晶氧化物薄膜晶体管，包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和第一漏电极表面具有绝缘层；位于所述绝缘层表面的第二有源层；位于所述第二有源层两侧的第二源电极和第二漏电极；所述第二源电极、第二有源层在基板表面的投影与所述第一源电极在基板表面的投影有重叠，使得部分所述第一源电极、绝缘层、第二有源层、第二漏电极、第二源电极构成第二晶体管，且所述第二晶体管为有机薄膜晶体管，部分第一源电极、第二源电极以及绝缘层构成第一电容。上述像素驱动单元集成度较高，性能稳定。
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公开(公告)号：CN107978271A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711381120.0
申请日：2017-12-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/3208
CPC classification number: G09G3/3208 , G09G2320/0233
Abstract: 本发明涉及一种OLED显示装置及其驱动方法。所述OLED显示装置，包括像素单元和反馈驱动单元；所述反馈驱动单元包括：映射存储器，存储有多个理论电压以及与多个理论电压一一对应的多个数据电压；比较器，用于计算上一帧的误差电压；漂移电压存储器，用于存储当前帧的漂移电压，所述当前帧的漂移电压是根据上一帧的漂移电压与所述上一帧的误差电压计算得到的；加法器，用于将所述当前帧的数据电压与所述当前帧的漂移电压叠加，以产生当前帧的输入数据电压并传输至所述像素单元。本发明解决了由于驱动晶体管阈值电压漂移与数据线上的压降导致的显示画面亮度均一性较差的问题，提高了OLED显示装置的显示效果。
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公开(公告)号：CN107978271B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201711381120.0
申请日：2017-12-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种OLED显示装置及其驱动方法。所述OLED显示装置，包括像素单元和反馈驱动单元；所述反馈驱动单元包括：映射存储器，存储有多个理论电压以及与多个理论电压一一对应的多个数据电压；比较器，用于计算上一帧的误差电压；漂移电压存储器，用于存储当前帧的漂移电压，所述当前帧的漂移电压是根据上一帧的漂移电压与所述上一帧的误差电压计算得到的；加法器，用于将所述当前帧的数据电压与所述当前帧的漂移电压叠加，以产生当前帧的输入数据电压并传输至所述像素单元。本发明解决了由于驱动晶体管阈值电压漂移与数据线上的压降导致的显示画面亮度均一性较差的问题，提高了OLED显示装置的显示效果。
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公开(公告)号：CN107248393A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710605378.8
申请日：2017-07-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
CPC classification number: G09G3/3225 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3274
Abstract: 一种像素驱动单元及其形成方法、显示背板、像素驱动电路，像素驱动单元包括：基板，所述基板内具有第一晶体管，为低温多晶硅薄膜晶体管或非晶氧化物薄膜晶体管，包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和第一漏电极表面具有绝缘层；位于所述绝缘层表面的第二有源层；位于所述第二有源层两侧的第二源电极和第二漏电极；所述第二源电极、第二有源层在基板表面的投影与所述第一源电极在基板表面的投影有重叠，使得部分所述第一源电极、绝缘层、第二有源层、第二漏电极、第二源电极构成第二晶体管，且所述第二晶体管为有机薄膜晶体管，部分第一源电极、第二源电极以及绝缘层构成第一电容。上述像素驱动单元集成度较高，性能稳定。
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