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公开(公告)号：CN101932750A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880125848.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其能够简单地、且以具有通用性的方式设定进行自清洗的定时，并且能够进一步延长该定时，能够提高生产效率。一种向对基板(4)进行制膜处理的制膜室(1)内导入清洗气体进行自清洗的等离子体CVD装置(100)，其中，进行自清洗的定时在制膜运转时间比例(Ps)相对于制膜处理量的增大而饱和的范围内设定，该制膜运转时间比例(Ps)利用制膜关联作业时间(Tt)占制膜关联作业时间(Tt)与清洗关联作业时间(Tc)之和的比例来表示。
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公开(公告)号：CN101467233B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200780022228.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/45563 , C23C16/4557 , C23C16/46 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可抑制膜厚分布或膜质分布的产生的放电电极、薄膜制造装置及太阳能电池的制造方法。放电电极具备彼此大致平行地向X方向延伸的两根横结构(20)、设于这两根横结构(20)之间、且彼此大致平行地向Y方向延伸的多个纵结构(21a)。纵结构(21a)具备：将一端部(35a)连接在一个横结构(20)上、将另一端部(35b)连接在另一个横结构(20)上的电极主体(35)、配置于气管收容空间(36)的气管(41)、多孔体(40)。开口部(38)向着基板(8)开口且用多孔体(40)封闭。气体扩散通路(37)连接气管收容空间(36)和开口部(38)。电极内侧面(39)面对气管收容空间(36)并且和管外侧面(42b)对置。喷嘴孔群(42c)沿Y方向配设于气管(41)上且向着和电极内侧面(39)的气体扩散通路(37)相反侧的部分(39a)。
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公开(公告)号：CN101467233A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022228.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/45563 , C23C16/4557 , C23C16/46 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可抑制膜厚分布或膜质分布的产生的放电电极、薄膜制造装置及太阳能电池的制造方法。放电电极具备彼此大致平行地向X方向延伸的两根横结构(20)、设于这两根横结构(20)之间、且彼此大致平行地向Y方向延伸的多个纵结构(21a)。纵结构(21a)具备：将一端部(35a)连接在一个横结构(20)上、将另一端部(35b)连接在另一个横结构(20)上的电极主体(35)、配置于气管收容空间(36)的气管(41)、多孔体(40)。开口部(38)向着基板(8)开口且用多孔体(40)封闭。气体扩散通路(37)连接气管收容空间(36)和开口部(38)。电极内侧面(39)面对气管收容空间(36)并且和管外侧面(42b)对置。喷嘴孔群(42c)沿Y方向配设于气管(41)上且向着和电极内侧面(39)的气体扩散通路(37)相反侧的部分(39a)。
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公开(公告)号：CN1175475A
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：CN97111642.3
申请日：1997-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: F01N3/0892 , B01D53/32 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J2219/0807 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894
Abstract: 用于处理废气的装置和方法。在该装置中,多级反应室(R1…,Rn)在废气流动方向上串联连接。高压电源(V1…,Vn)分别与反应室(R1…,Rn)连接。因而在每个上述反应室中产生电子流放电等离子体。此外,一个级的反应室愈位于下游,投入到该反应室的能量愈低。在气体分解单元中产生的电子密度在位于所述气体分解单元中的废气流的上游侧的部分中为高,而在其废气流的下游侧的部分中电子密度低。
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公开(公告)号：CN102047439B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200880129553.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101542686B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880000572.2
申请日：2008-02-18
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和使用了真空处理装置的制膜方法，可简单地调整制膜特性，而且可抑制各制膜室中制膜特性的差的产生，同时可降低设备成本。其特征在于，具有：多个放电电极(3a～3h)，从电源部(17a)向其两端部(53)供给高频电力，在其与基板(8)之间形成等离子体；和多个匹配器(3at～3ht)，在两端部(53)分别对供给到多个放电电极(3a～3h)上的高频电力的相位和振幅进行调整，多个匹配器(3at～3ht)的阻抗被设定为大致相同的值，阻抗值为使多个放电电极(3a～3h)之中的一个放电电极对电源部(17a)的反射功率大约成为最小的值。
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公开(公告)号：CN1339331A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN01119455.3
申请日：1997-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B01D53/34
CPC classification number: F01N3/0892 , B01D53/32 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J2219/0807 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894
Abstract: 一种脉冲发生器,包括:多个相同结构的级,各设有具有高、低电压侧输入端部的分布常数线,高、低电压侧输入端部分别连接到与直流充电器的高电压侧端部相连接的高电压侧导线上和与直流充电器的低电压侧端部相连接的作为低电压侧导线的接地线上;各自相应于所述多个级的相邻上、下级的邻接分布常数线的低电压侧输出端部,它们串联连接;在最上级的最上一个分布常数线的低电压侧输出端部和在最下级的最下一个分布常数线的低电压侧输出端部之间连接的负载;连接在所述高、低电压侧导线之间的短路开关。
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公开(公告)号：CN102047439A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200880129553.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含雏晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述雏晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的雏晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把雏晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN1214848C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01119455.3
申请日：1997-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B01D53/34
CPC classification number: F01N3/0892 , B01D53/32 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J2219/0807 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894
Abstract: 一种脉冲发生器，包括：多个相同结构的级，各设有具有高、低电压侧输入端部的分布常数线，高、低电压侧输入端部分别连接到与直流充电器的高电压侧端部相连接的高电压侧导线上和与直流充电器的低电压侧端部相连接的作为低电压侧导线的接地线上；各自相应于所述多个级的相邻上、下级的邻接分布常数线的低电压侧输出端部串联连接；连接邻接分布常数线的输入端部的接地线，其分别对应于所述多个级的相邻上、下级；在最上级的最上一个分布常数线的低电压侧输出端部和在最下级的最下一个分布常数线的低电压侧输出端部之间连接的负载；连接在所述高、低电压侧导线之间的短路开关。
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公开(公告)号：CN1159085C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01119454.5
申请日：1997-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: B01D53/34
CPC classification number: F01N3/0892 , B01D53/32 , B01D2259/818 , B01J19/088 , B01J2219/0807 , B01J2219/0875 , B01J2219/0894
Abstract: 一种使用电子流放电等离子体对包含在废气中的有毒成分进行去毒的废气处理方法，所述废气处理方法包括下述步骤：这样地调整在气体分解单元中产生的电子的电子密度，即位于所述气体分解单元中的废气流的上游侧的部分中电子密度高，而位于所述气体分解单元中的废气流的下游侧的部分中电子密度低；和通过在气体分解单元产生电子流放电等离子体，然后通过使废气流过该气体分解单元来对包含在废气中的有毒成分进行分解。
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