公开(公告)号：CN115692171A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210868164.0

申请日：2022-07-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 秋好恭兵 ,  吉田敦史 ,  中西洋介 ,  香月真一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供能够对多个SiC晶片间的氧化膜的厚度波动进行抑制的半导体装置的制造方法。还涉及半导体制造装置。在多个碳化硅晶片的下表面形成了第1无机膜后，以第1无机膜的厚度残留大于或等于750nm的方式进行多个碳化硅晶片的蚀刻，在蚀刻后进行热氧化处理而在多个碳化硅晶片的上表面形成氧化膜，在至少一个晶片及多个碳化硅晶片沿一个方向且使多个碳化硅晶片的上表面朝向一个方向地排列的状态下进行热氧化处理，该至少一个晶片包含哑晶片或监控晶片中的至少任意一者，在热氧化处理的状态下，多个碳化硅晶片中的第1碳化硅晶片配置于至少1个晶片的任意者的正下方，多个碳化硅晶片中的第2碳化硅晶片配置于多个碳化硅晶片中的第3碳化硅晶片的正下方。

公开(公告)号：CN112210827A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010646344.5

申请日：2020-07-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 酒井雅 ,  香月真一郎 ,  小林和雄 ,  日野泰成

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法，其能够在碳化硅基板之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，得到稳定的良好的器件特性。将搭载了碳化硅基板(1)以及碳化钽部件(4)的晶片保持器(2)搭载于基座(6)内的旋转台(5)，通过基座(6)周围的感应加热线圈(7)进行加热，通过向基座(6)内供给生长气体、掺杂气体以及载气，从而在碳化硅基板(1)之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，能够得到稳定的良好的器件特性，并且能够提高碳化硅外延晶片工序的成品率。

公开(公告)号：CN118817710A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410433476.8

申请日：2024-04-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村卓誉 ,  大木博文 ,  木村泰广 ,  香月真一郎

IPC: G01N21/95 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供缩短微管缺陷的检测时间的半导体检查装置。半导体检查装置包括缺陷检测部(2)及控制部(4)。缺陷检测部(2)对具有第1主面(6A)和第2主面(6B)且包括向预定的方向以偏离角倾斜的SiC晶体的半导体晶片，检查第1主面(6A)来检测第1主面(6A)所包含的晶体缺陷即第1缺陷(7A)，检查第2主面(6B)来检测第2主面(6B)所包含的晶体缺陷即第2缺陷(7B)。控制部(4)在由缺陷检测部(2)检测第2缺陷(7B)时以对半导体晶片的第(2)主面(6B)的一部分区域即检查区域进行检查的方式控制缺陷检测部(2)。该检查区域基于第1缺陷(7A)的检测位置、半导体晶片的厚度(T)及偏离角(θ)决定。

公开(公告)号：CN114438494A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210120071.X

申请日：2014-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  香月真一郎

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/38 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28

Abstract: 半导体装置的制造方法具有准备工序、流动工序及处理工序。准备工序是准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液。流动工序是在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得所述处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀。处理工序是在开始所述流动工序之后将具有金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。优选所述金属膜为钛，优选使用对所述蚀刻液的温度进行测量的测量单元而使所述蚀刻液的温度在所述处理工序中均匀。

公开(公告)号：CN107075694A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201480082015.5

申请日：2014-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  香月真一郎

IPC: C23F1/38 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C23F1/38 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/308 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47

Abstract: 半导体装置的制造方法具有准备工序、流动工序及处理工序。准备工序是准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液。流动工序是在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得所述处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀。处理工序是在开始所述流动工序之后将具有金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。优选所述金属膜为钛，优选使用对所述蚀刻液的温度进行测量的测量单元而使所述蚀刻液的温度在所述处理工序中均匀。