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公开(公告)号：CN103295885A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210522238.1
申请日：2012-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L29/872 , C23C14/185 , C23C14/3492 , C23C14/35 , H01J37/32082 , H01J37/34 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/6606
Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能抑制在溅射金属材料且在碳化硅基体上对金属膜进行成膜时在碳化硅与金属之间的界面产生的损伤，并能稳定制造具有一定的电气特性的碳化硅半导体装置。溅射由金属材料构成的靶材（23），在碳化硅基体（10）上对金属膜进行成膜。此时，从靶材（23）溅射的金属材料及从气体导入口（27）流入的溅射用气体的对碳化硅基体（10）的入射能在变为比碳化硅的结合能小的条件下，具体而言，在变为比4.8eV小的条件下，对金属膜进行成膜。例如，将施加于阴极（21）与阳极（22）之间的高频电压设为20V以上300V以下，对金属膜进行成膜。
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公开(公告)号：CN114438494A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210120071.X
申请日：2014-09-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置的制造方法具有准备工序、流动工序及处理工序。准备工序是准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液。流动工序是在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得所述处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀。处理工序是在开始所述流动工序之后将具有金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。优选所述金属膜为钛，优选使用对所述蚀刻液的温度进行测量的测量单元而使所述蚀刻液的温度在所述处理工序中均匀。
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公开(公告)号：CN107431009A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580078307.6
申请日：2015-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 在形成有杂质扩散区域即阱区域(3)、源极区域(4)及接触区域(5)的外延层(2)之上形成厚度大于或等于0.5μm的绝缘膜(6)，在绝缘膜(6)形成俯视观察时大于或等于2mm×2mm的尺寸的开口，使杂质扩散区域的至少一部分从绝缘膜(6)露出。在绝缘膜(6)形成开口的工序分为下述工序而进行，即：通过将光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的干蚀刻，以残留小于或等于绝缘膜(6)的一半厚度的方式去除绝缘膜(6)；以及通过将与前面相同的光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的湿蚀刻，直到到达外延层2的上表面为止地去除绝缘膜(6)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463388B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201480078393.6
申请日：2014-04-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 在配置于半导体衬底之上的金属膜之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层。由含有一个波长区域的光对抗蚀层进行曝光。对曝光后的抗蚀层进行显影。在对抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置中，将抗蚀层用作掩模对金属膜进行湿式蚀刻。蚀刻装置(80)设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于一个波长的波长被截去后的光(YL)。
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公开(公告)号：CN106463388A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078393.6
申请日：2014-04-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0495 , H01L21/027 , H01L21/0274 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/67086 , H01L21/67115 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/6606 , H01L29/66712 , H01L29/7393 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 在配置于半导体衬底之上的金属膜之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层。由含有一个波长区域的光对抗蚀层进行曝光。对曝光后的抗蚀层进行显影。在对抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置中，将抗蚀层用作掩模对金属膜进行湿式蚀刻。蚀刻装置(80)设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于一个波长的波长被截去后的光(YL)。
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公开(公告)号：CN103295885B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210522238.1
申请日：2012-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L29/872 , C23C14/185 , C23C14/3492 , C23C14/35 , H01J37/32082 , H01J37/34 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/6606
Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能抑制在溅射金属材料且在碳化硅基体上对金属膜进行成膜时在碳化硅与金属之间的界面产生的损伤，并能稳定制造具有一定的电气特性的碳化硅半导体装置。溅射由金属材料构成的靶材（23），在碳化硅基体（10）上对金属膜进行成膜。此时，从靶材（23）溅射的金属材料及从气体导入口（27）流入的溅射用气体的对碳化硅基体（10）的入射能在变为比碳化硅的结合能小的条件下，具体而言，在变为比4.8eV小的条件下，对金属膜进行成膜。例如，将施加于阴极（21）与阳极（22）之间的高频电压设为20V以上300V以下，对金属膜进行成膜。
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公开(公告)号：CN107431009B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201580078307.6
申请日：2015-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 在形成有杂质扩散区域即阱区域(3)、源极区域(4)及接触区域(5)的外延层(2)之上形成厚度大于或等于0.5μm的绝缘膜(6)，在绝缘膜(6)形成俯视观察时大于或等于2mm×2mm的尺寸的开口，使杂质扩散区域的至少一部分从绝缘膜(6)露出。在绝缘膜(6)形成开口的工序分为下述工序而进行，即：通过将光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的干蚀刻，以残留小于或等于绝缘膜(6)的一半厚度的方式去除绝缘膜(6)；以及通过将与前面相同的光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的湿蚀刻，直到到达外延层2的上表面为止地去除绝缘膜(6)。
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公开(公告)号：CN107075694A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480082015.5
申请日：2014-09-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: C23F1/38 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/67086 , C23F1/38 , H01L21/0495 , H01L21/308 , H01L21/32134 , H01L29/1608 , H01L29/47
Abstract: 半导体装置的制造方法具有准备工序、流动工序及处理工序。准备工序是准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液。流动工序是在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得所述处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀。处理工序是在开始所述流动工序之后将具有金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。优选所述金属膜为钛，优选使用对所述蚀刻液的温度进行测量的测量单元而使所述蚀刻液的温度在所述处理工序中均匀。
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