公开(公告)号：CN106463388B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201480078393.6

申请日：2014-04-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  武藤祥生

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 在配置于半导体衬底之上的金属膜之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层。由含有一个波长区域的光对抗蚀层进行曝光。对曝光后的抗蚀层进行显影。在对抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置中，将抗蚀层用作掩模对金属膜进行湿式蚀刻。蚀刻装置(80)设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于一个波长的波长被截去后的光(YL)。

公开(公告)号：CN106463388A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078393.6

申请日：2014-04-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  武藤祥生

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/0495 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 在配置于半导体衬底之上的金属膜之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层。由含有一个波长区域的光对抗蚀层进行曝光。对曝光后的抗蚀层进行显影。在对抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置中，将抗蚀层用作掩模对金属膜进行湿式蚀刻。蚀刻装置(80)设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于一个波长的波长被截去后的光(YL)。