公开(公告)号：CN110360941B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201910272081.3

申请日：2019-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 升元佑一 ,  上角彻 ,  山中信明 ,  中西洋介

IPC: G01B11/06

Abstract: 抑制受光部处的噪声的产生而提高膜厚测定精度。膜厚测定装置具备：工作台(1)，其仅与基板(2)的缘部接触；反射抑制部(12、13)，其位于与工作台分离开的位置，并且位于被工作台包围的区域；光源(4)；以及受光部(5)，第1光(8)和第2光(9)向受光部(5)入射，第1光(8)是从光源照射出的光被被测定膜的上表面反射后的光，第2光(9)是被基板的上表面反射后的光，反射抑制部位于与基板的露出在空气中的下表面分离开的位置，对入射的来自光源的光被反射至受光部这一情况进行抑制。

公开(公告)号：CN106463388B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201480078393.6

申请日：2014-04-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  武藤祥生

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 在配置于半导体衬底之上的金属膜之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层。由含有一个波长区域的光对抗蚀层进行曝光。对曝光后的抗蚀层进行显影。在对抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置中，将抗蚀层用作掩模对金属膜进行湿式蚀刻。蚀刻装置(80)设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于一个波长的波长被截去后的光(YL)。

公开(公告)号：CN106463388A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078393.6

申请日：2014-04-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  武藤祥生

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/0495 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 在配置于半导体衬底之上的金属膜之上，使用针对至少一个波长具有感光性的正型光致抗蚀剂涂敷出抗蚀层。由含有一个波长区域的光对抗蚀层进行曝光。对曝光后的抗蚀层进行显影。在对抗蚀层进行显影的工序之后，在蚀刻装置中，将抗蚀层用作掩模对金属膜进行湿式蚀刻。蚀刻装置(80)设置于由照明装置(90)进行照明的环境(YR)下，该照明装置(90)发出小于或等于一个波长的波长被截去后的光(YL)。

公开(公告)号：CN114438494A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210120071.X

申请日：2014-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  香月真一郎

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/38 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28

Abstract: 半导体装置的制造方法具有准备工序、流动工序及处理工序。准备工序是准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液。流动工序是在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得所述处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀。处理工序是在开始所述流动工序之后将具有金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。优选所述金属膜为钛，优选使用对所述蚀刻液的温度进行测量的测量单元而使所述蚀刻液的温度在所述处理工序中均匀。

公开(公告)号：CN110360941A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910272081.3

申请日：2019-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 升元佑一 ,  上角彻 ,  山中信明 ,  中西洋介

IPC: G01B11/06

Abstract: 抑制受光部处的噪声的产生而提高膜厚测定精度。膜厚测定装置具备：工作台(1)，其仅与基板(2)的缘部接触；反射抑制部(12、13)，其位于与工作台分离开的位置，并且位于被工作台包围的区域；光源(4)；以及受光部(5)，第1光(8)和第2光(9)向受光部(5)入射，第1光(8)是从光源照射出的光被被测定膜的上表面反射后的光，第2光(9)是被基板的上表面反射后的光，反射抑制部位于与基板的露出在空气中的下表面分离开的位置，对入射的来自光源的光被反射至受光部这一情况进行抑制。

公开(公告)号：CN107431009A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580078307.6

申请日：2015-03-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 近森大亮 ,  山中信明 ,  岩川高道

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 在形成有杂质扩散区域即阱区域(3)、源极区域(4)及接触区域(5)的外延层(2)之上形成厚度大于或等于0.5μm的绝缘膜(6)，在绝缘膜(6)形成俯视观察时大于或等于2mm×2mm的尺寸的开口，使杂质扩散区域的至少一部分从绝缘膜(6)露出。在绝缘膜(6)形成开口的工序分为下述工序而进行，即：通过将光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的干蚀刻，以残留小于或等于绝缘膜(6)的一半厚度的方式去除绝缘膜(6)；以及通过将与前面相同的光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的湿蚀刻，直到到达外延层2的上表面为止地去除绝缘膜(6)。

公开(公告)号：CN107431009B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201580078307.6

申请日：2015-03-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 近森大亮 ,  山中信明 ,  岩川高道

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 在形成有杂质扩散区域即阱区域(3)、源极区域(4)及接触区域(5)的外延层(2)之上形成厚度大于或等于0.5μm的绝缘膜(6)，在绝缘膜(6)形成俯视观察时大于或等于2mm×2mm的尺寸的开口，使杂质扩散区域的至少一部分从绝缘膜(6)露出。在绝缘膜(6)形成开口的工序分为下述工序而进行，即：通过将光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的干蚀刻，以残留小于或等于绝缘膜(6)的一半厚度的方式去除绝缘膜(6)；以及通过将与前面相同的光致抗蚀剂(102)作为掩模使用的湿蚀刻，直到到达外延层2的上表面为止地去除绝缘膜(6)。

公开(公告)号：CN107075694A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201480082015.5

申请日：2014-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山中信明 ,  近森大亮 ,  香月真一郎

IPC: C23F1/38 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C23F1/38 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/308 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47

Abstract: 半导体装置的制造方法具有准备工序、流动工序及处理工序。准备工序是准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液。流动工序是在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得所述处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀。处理工序是在开始所述流动工序之后将具有金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。优选所述金属膜为钛，优选使用对所述蚀刻液的温度进行测量的测量单元而使所述蚀刻液的温度在所述处理工序中均匀。