公开(公告)号：CN104425215A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410459152.8

申请日：2014-09-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林和雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/046 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够通过4探针法测定电阻值的SiC半导体装置的制造方法。本发明所涉及的SiC半导体装置的制造方法具有：工序(a)，其向SiC衬底的表面层注入大于或等于1×1020cm-3浓度的杂质；工序(b)，其在工序(a)之后，在SiC衬底的表面形成石墨膜；工序(c)，其在工序(b)之后，通过对SiC衬底进行退火处理而使杂质活性化；工序(d)，其在工序(c)之后，将石墨膜去除；工序(e)，其在工序(d)之后，将SiC衬底的表面氧化而形成氧化膜；工序(f)，其将氧化膜去除；以及工序(g)，其在工序(f)之后，对该SiC衬底通过4探针法进行电阻值的测定。

公开(公告)号：CN106688080A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201480081818.9

申请日：2014-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林和雄 ,  池上雅明

IPC: H01L21/265

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27D7/06 ,  F27D2007/063 ,  H01L21/046 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67757

Abstract: 半导体退火装置具有：腔室；管，其设置于所述腔室的内侧；晶舟，其以能够进退的方式设置在所述管的内侧；装载区域，其是所述晶舟退出至所述管之外时所述晶舟所处的区域；碳氢化合物供给单元，其将碳氢化合物气体供给至所述管的内侧；加热单元，其对所述管的内侧进行加热；以及氧供给单元，其将氧供给至所述管的内侧。所述管及所述晶舟是蓝宝石制、或者通过All－CVD形成的SiC制。

公开(公告)号：CN104008969A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410067436.2

申请日：2014-02-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 谷冈寿一 ,  樽井阳一郎 ,  小林和雄 ,  结城秀昭 ,  濑户口阳介

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/046 ,  H01L21/67276 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明用于在利用分批式装置以将假基板和多个处理基板彼此隔开间隔而层叠的状态进行热处理的情况下，抑制与假基板接近的处理基板形成不同于其他处理基板的电气特性这一情况。本发明的半导体装置的制造方法具有下述工序：（b）在假基板的背面和多个半导体基板的背面形成无机膜的工序，该无机膜具有可承受热氧化处理或热处理的温度，使氧化或还原气体种到达假基板及所述多个半导体基板背面的量足够少的膜厚；（c）将假基板和多个半导体基板以正面朝向相同方向并彼此隔开间隔而层叠的方式配置的工序；以及（d）在工序（b）及（c）之后，在氧化气体气氛或还原气体气氛内对半导体基板的正面进行热氧化处理或后退火的工序。

公开(公告)号：CN112210827A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010646344.5

申请日：2020-07-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 酒井雅 ,  香月真一郎 ,  小林和雄 ,  日野泰成

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法，其能够在碳化硅基板之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，得到稳定的良好的器件特性。将搭载了碳化硅基板(1)以及碳化钽部件(4)的晶片保持器(2)搭载于基座(6)内的旋转台(5)，通过基座(6)周围的感应加热线圈(7)进行加热，通过向基座(6)内供给生长气体、掺杂气体以及载气，从而在碳化硅基板(1)之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，能够得到稳定的良好的器件特性，并且能够提高碳化硅外延晶片工序的成品率。

公开(公告)号：CN102194669A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110003496.4

申请日：2011-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宇田幸生 ,  关谷晃一 ,  小林和雄 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/66 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01L21/046 ,  H01L22/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能够精度良好且低成本地进行防止在退火处理时硅以及碳发生蒸发的保护膜的膜厚测定。在衬底保持器（35）上搭载晶片（WF）并置于成膜炉（32）内，利用真空泵经由气体排出部（33）对成膜炉（32）内进行真空排气，在极力除去残存的氧之后，一边经由气体导入部（31）导入Ar或氦（He）等的非活性气体，一边在减压下将成膜炉（32）内的温度加热到800℃～950℃的范围。达到该温度后，使非活性气体的流入停止，经由气体导入部（31）向成膜炉（32）内导入气化后的乙醇作为源气体，由此，在晶片（WF）的整个表面形成石墨膜。

公开(公告)号：CN102169827A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010505879.7

申请日：2010-10-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林和雄

IPC: H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。需要一种进行湿氧化引起的栅极氧化膜中含有羟基不避免就能实现更高可靠性的栅极氧化膜的形成方法。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序：(a)在SiC衬底上导入氢以及氧；(b)在SiC衬底上使氢以及氧发生燃烧反应，利用燃烧反应在SiC衬底(1)表面形成作为硅氧化膜的栅极氧化膜(4)。

公开(公告)号：CN104008969B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201410067436.2

申请日：2014-02-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 谷冈寿一 ,  樽井阳一郎 ,  小林和雄 ,  结城秀昭 ,  濑户口阳介

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/046 ,  H01L21/67276 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明用于在利用分批式装置以将假基板和多个处理基板彼此隔开间隔而层叠的状态进行热处理的情况下，抑制与假基板接近的处理基板形成不同于其他处理基板的电气特性这一情况。本发明的半导体装置的制造方法具有下述工序：（b）在假基板的背面和多个半导体基板的背面形成无机膜的工序，该无机膜具有可承受热氧化处理或热处理的温度，使氧化或还原气体种到达假基板及所述多个半导体基板背面的量足够少的膜厚；（c）将假基板和多个半导体基板以正面朝向相同方向并彼此隔开间隔而层叠的方式配置的工序；以及（d）在工序（b）及（c）之后，在氧化气体气氛或还原气体气氛内对半导体基板的正面进行热氧化处理或后退火的工序。

公开(公告)号：CN104425215B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410459152.8

申请日：2014-09-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林和雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/046 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够通过4探针法测定电阻值的SiC半导体装置的制造方法。本发明所涉及的SiC半导体装置的制造方法具有：工序(a)，其向SiC衬底的表面层注入大于或等于1×1020cm‑3浓度的杂质；工序(b)，其在工序(a)之后，在SiC衬底的表面形成石墨膜；工序(c)，其在工序(b)之后，通过对SiC衬底进行退火处理而使杂质活性化；工序(d)，其在工序(c)之后，将石墨膜去除；工序(e)，其在工序(d)之后，将SiC衬底的表面氧化而形成氧化膜；工序(f)，其将氧化膜去除；以及工序(g)，其在工序(f)之后，对该SiC衬底通过4探针法进行电阻值的测定。

公开(公告)号：CN102194669B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110003496.4

申请日：2011-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宇田幸生 ,  关谷晃一 ,  小林和雄 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/66 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01L21/046 ,  H01L22/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能够精度良好且低成本地进行防止在退火处理时硅以及碳发生蒸发的保护膜的膜厚测定。在衬底保持器（35）上搭载晶片（WF）并置于成膜炉（32）内，利用真空泵经由气体排出部（33）对成膜炉（32）内进行真空排气，在极力除去残存的氧之后，一边经由气体导入部（31）导入Ar或氦（He）等的非活性气体，一边在减压下将成膜炉（32）内的温度加热到800℃～950℃的范围。达到该温度后，使非活性气体的流入停止，经由气体导入部（31）向成膜炉（32）内导入气化后的乙醇作为源气体，由此，在晶片（WF）的整个表面形成石墨膜。