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发明公开
半导体装置的制造方法及半导体制造装置审中-实审

公开(公告)号：CN115692171A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210868164.0

申请日：2022-07-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 秋好恭兵 , 吉田敦史 , 中西洋介 , 香月真一郎

IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67

Abstract: 提供能够对多个SiC晶片间的氧化膜的厚度波动进行抑制的半导体装置的制造方法。还涉及半导体制造装置。在多个碳化硅晶片的下表面形成了第1无机膜后，以第1无机膜的厚度残留大于或等于750nm的方式进行多个碳化硅晶片的蚀刻，在蚀刻后进行热氧化处理而在多个碳化硅晶片的上表面形成氧化膜，在至少一个晶片及多个碳化硅晶片沿一个方向且使多个碳化硅晶片的上表面朝向一个方向地排列的状态下进行热氧化处理，该至少一个晶片包含哑晶片或监控晶片中的至少任意一者，在热氧化处理的状态下，多个碳化硅晶片中的第1碳化硅晶片配置于至少1个晶片的任意者的正下方，多个碳化硅晶片中的第2碳化硅晶片配置于多个碳化硅晶片中的第3碳化硅晶片的正下方。

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