公开(公告)号：CN102760791A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN102760791B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN103066133A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210319964.3

申请日：2012-08-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  金永镇 ,  金东燮 ,  牟灿滨 ,  金英水 ,  朴映相

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明公开一种光电装置，所述光电装置包括位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同的导电类型。所述光电装置还包括位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极以及与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。

公开(公告)号：CN103296136A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310004515.4

申请日：2013-01-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李成喆 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  金英水 ,  金泳秀 ,  李东勋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。制造太阳能电池的方法包括：在半导体基底上形成具有第一导电类型的掺杂部分；在半导体基底上生长氧化物层；在氧化物层中形成多个凹进部分；在半导体基底上进一步生长氧化物层；在半导体基底的与凹进部分对应的区域上形成具有第二导电类型的掺杂部分；形成电结合到具有第一导电类型的掺杂部分的第一导电电极；以及在半导体基底上形成电结合到具有第二导电类型的掺杂部分的第二导电电极，其中，具有第一导电类型的掺杂部分与具有第二导电类型的掺杂部分之间的间隙对应于通过进一步生长氧化物层形成的氧化物层的宽度。

公开(公告)号：CN103035779A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210273503.7

申请日：2012-08-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金英水 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  牟灿滨 ,  朴映相

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种光伏装置及其制造方法。这里，在半导体基底的表面上形成基极部分和发射体部分。在基极部分和发射体部分上形成绝缘层。绝缘层具有多个通孔，以部分地暴露基极部分和发射体部分。第一电极被形成为通过至少一个通孔接触发射体部分的区域，第二电极被形成为通过至少另一个通孔接触基极部分的区域。然后，在第二电极的汇流电极部分处设置切割线，并沿着切割线在基极部分处将半导体基底分为至少两个光伏装置。

公开(公告)号：CN103094377A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210381388.5

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金英水 ,  金东燮 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  朴映相 ,  牟灿滨 ,  李成喆

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底包括用于接收光的前表面和与前表面相对的后表面；发射极扩散区，位于后表面上并且用与硅基底的极性相反的第一极性掺杂；基极扩散区，位于基底的后表面上并且用与硅基底的极性相同的第二极性掺杂；以及绝缘间隙，位于发射极扩散区和基极扩散区之间，其中，基极扩散区具有闭合的多边形形状，其中，绝缘间隙与基极扩散区相邻。

公开(公告)号：CN100502229C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510069792.9

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永镇

IPC: H03D7/00 ,  H03D7/14 ,  H04B1/26

CPC classification number: H03D7/1441 ,  H03C3/403 ,  H03D7/1433 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/165 ,  H03D2200/0019

Abstract: 本发明涉及一种用于直接转换发送机和接收机的混频器，利用四个彼此正交的移相后的本地振荡信号来控制多个用于输出彼此正交的信号的开关。两个相互正交的输出信号没有相互干扰并且有预先的小的信号增益。此外，该混频器可以包括四个或者八个由四个彼此正交的本地振荡信号控制开关的，用于输出在I-Q图上彼此正交的信号。从由四个相移本地振荡信号控制的开关输出的信号除去了I-Q不匹配和DC分量，从而改善了IP2特性。

公开(公告)号：CN1607726A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410095126.8

申请日：2004-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永镇 ,  黄仁哲 ,  李汉一 ,  李在宪

IPC: H03H11/00 ,  H03L7/00

CPC classification number: H03H11/483

Abstract: 一种电容倍增器，包括自偏压有源负荷，用于在不需要单独的偏流的情况下产生稳定的偏压。此外，电容倍增器包括在倍增部分内的栅－阴放大器，用于增加输出阻抗并因而提高充电/放电效率。另外，电容倍增器设置有多个倍增路径，用于降低噪音的影响，从而更加稳定地产生倍增的电容。

公开(公告)号：CN100542154C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200310124038.1

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永镇

IPC: H04L27/22

CPC classification number: H03D3/009 ,  H04B1/30

Abstract: 提供一种用于校准相位和增益失配的直接转换接收器。直接转换接收器包括：多相滤波器，用于产生失配的同相和正交相位移差分信号；正交相位移信号与第一和第二本机振荡信号混频；正交相位移差分信号与第三和第四本机振荡信号混频；第一和第二本机振荡信号具有第一可调节的相位失配，第三和第四振荡信号具有第二可调节的相位失配；失配估计单元估计直接转换接收器的整个相位/增益失配(信号失真)，调节第一和第二可调节的相位失配，从而最小化由失配估计单元估计的直接转换接收器的信号失真。因此，可以批量生产用于校准多相滤波器失配的减少组件的直接转换接收器(没有失配估计单元)。

公开(公告)号：CN1873987A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089977.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬锡 ,  邢庸宇 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  李昱烈 ,  李高银 ,  金永镇 ,  南硕祐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  H01L27/00 ,  H01L29/94 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。