公开(公告)号：CN103094377A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210381388.5

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金英水 ,  金东燮 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  朴映相 ,  牟灿滨 ,  李成喆

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底包括用于接收光的前表面和与前表面相对的后表面；发射极扩散区，位于后表面上并且用与硅基底的极性相反的第一极性掺杂；基极扩散区，位于基底的后表面上并且用与硅基底的极性相同的第二极性掺杂；以及绝缘间隙，位于发射极扩散区和基极扩散区之间，其中，基极扩散区具有闭合的多边形形状，其中，绝缘间隙与基极扩散区相邻。

公开(公告)号：CN103296136A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310004515.4

申请日：2013-01-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李成喆 ,  李斗烈 ,  金永镇 ,  金英水 ,  金泳秀 ,  李东勋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。制造太阳能电池的方法包括：在半导体基底上形成具有第一导电类型的掺杂部分；在半导体基底上生长氧化物层；在氧化物层中形成多个凹进部分；在半导体基底上进一步生长氧化物层；在半导体基底的与凹进部分对应的区域上形成具有第二导电类型的掺杂部分；形成电结合到具有第一导电类型的掺杂部分的第一导电电极；以及在半导体基底上形成电结合到具有第二导电类型的掺杂部分的第二导电电极，其中，具有第一导电类型的掺杂部分与具有第二导电类型的掺杂部分之间的间隙对应于通过进一步生长氧化物层形成的氧化物层的宽度。