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公开(公告)号：CN1734532B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200510079217.7
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 财团法人索尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 每个像素包括：发光元件；电容器；驱动晶体管，其具有控制端、输入端和输出端，并向发光元件提供驱动电流以便发光；第一开关单元，其以二极管方式连接驱动晶体管并响应扫描信号向驱动晶体管提供数据电压；以及第二开关单元，其响应发射信号向驱动晶体管提供驱动电压并将发光元件和电容连接到驱动晶体管，其中电容器通过第一开关单元连接到驱动晶体管，存储作为数据电压和驱动晶体管的阈值电压的函数的控制电压，并通过第二开关单元连接到驱动晶体管，以向驱动晶体管提供控制电压。
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公开(公告)号：CN1776797B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510124796.2
申请日：2005-11-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 财团法人索尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 一种包括多个像素的显示设备，其中每个像素包括：发光元件；电容器；驱动晶体管，其具有控制端、输入端、和输出端并且将驱动电流提供给发光元件以发光；第一开关单元，其以二极管方式连接驱动晶体管并且响应于扫描信号将数据电压提供给电容器；和第二开关单元，其将驱动电压提供给驱动晶体管并且响应于发射信号将电容器连接到驱动晶体管，其中电容器通过第一开关单元而连接到驱动晶体管，依赖于数据电压和驱动晶体管的阈值电压来存储控制电压，并且电容器被通过第二开关单元连接到驱动晶体管以提供控制电压给驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN1734532A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510079217.7
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 财团法人索尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 每个像素包括：发光元件；电容器；驱动晶体管，其具有控制端、输入端和输出端，并向发光元件提供驱动电流以便发光；第一开关单元，其以二极管方式连接驱动晶体管并响应扫描信号向驱动晶体管提供数据电压；以及第二开关单元，其响应发射信号向驱动晶体管提供驱动电压并将发光元件和电容连接到驱动晶体管，其中电容器通过第一开关单元连接到驱动晶体管，存储作为数据电压和驱动晶体管的阈值电压的函数的控制电压，并通过第二开关单元连接到驱动晶体管，以向驱动晶体管提供控制电压。
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公开(公告)号：CN1776797A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510124796.2
申请日：2005-11-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 财团法人索尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 一种包括多个像素的显示设备，其中每个像素包括：发光元件；电容器；驱动晶体管，其具有控制端、输入端、和输出端并且将驱动电流提供给发光元件以发光；第一开关单元，其以二极管方式连接驱动晶体管并且响应于扫描信号将数据电压提供给电容器；和第二开关单元，其将驱动电压提供给驱动晶体管并且响应于发射信号将电容器连接到驱动晶体管，其中电容器通过第一开关单元而连接到驱动晶体管，依赖于数据电压和驱动晶体管的阈值电压来存储控制电压，并且电容器被通过第二开关单元连接到驱动晶体管以提供控制电压给驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN118829222A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410468014.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：板层；栅电极和层间绝缘层，在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上，并且形成第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，穿透栅电极并且在第一方向上延伸；以及接触插塞，在第一方向上延伸并且电连接到栅电极之一，其中第二堆叠结构包括在最下部的第一栅电极、在第一栅电极上的第一层间绝缘层和在第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，第一层间绝缘层具有第一厚度，第二层间绝缘层具有小于第一厚度的第二厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118475128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311215751.0
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：电路区域，包括位于第一基板上的外围电路结构；单元区域，位于电路区域上并且包括单元阵列区域和连接区域，该单元区域包括：第二基板；栅极堆叠结构，位于第二基板上并且包括下结构和上结构，下结构和上结构包括栅电极；沟道结构，穿透栅极堆叠结构；栅极接触，穿透栅极堆叠结构以电连接到电路区域，并且电连接到通过栅电极与栅极接触之间的绝缘图案与栅电极绝缘的连接栅电极；以及边界绝缘图案，部分地形成在下结构的栅电极当中与上结构和下结构之间的边界部分相邻的边界栅电极中从而围绕栅极接触以维持边界栅电极的电连接路径，并且具有与绝缘图案的结构不同的结构。
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公开(公告)号：CN116206658A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211402963.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，存储第一数据和第二数据中的一个，并且包括第一子存储器单元和第二子存储器单元，第一子存储器单元连接到第一字线和第一位线，第二子存储器单元连接到第二字线和第二位线；源极线，由第一子存储器单元和第二子存储器单元共享；以及感测放大器，连接到第一位线和第二位线，感测放大器读取存储在存储器单元中的数据。感测放大器从第一位线接收第一电流，从第二位线接收第二电流，并且通过将第一电流的幅度和第二电流的幅度进行比较来读取存储在存储器单元中的数据。响应于存储器单元存储第一数据，第一子存储器单元被编程，并且第二子存储器单元被擦除。
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公开(公告)号：CN107171669B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201710127879.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件及其操作方法。该半导体器件包括：模式控制器，配置为在第一通信模式输出第一控制信号和在不同于第一通信模式的第二通信模式输出第二控制信号；和可配置电路，配置为在第一通信模式生成要发送到第一类型模数转换器(ADC)的第一输出信号和在第二通信模式使用第二类型ADC生成第二输出信号，其中可配置电路包括切换电路，切换电路配置为取决于从模式控制器接收到的第一控制信号或者第二控制信号，将电路配置改变为在第一通信模式生成第一输出信号的第一电路配置或者在第二通信模式生成第二输出信号的第二电路配置。
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公开(公告)号：CN112578700A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010698552.X
申请日：2020-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05B19/042
Abstract: 提供了一种电子装置和该电子装置的操作方法。所述电子装置包括：第一均衡电路，所述第一均衡电路被配置为接收数据信号，并基于所述数据信号生成第一均衡信号；脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置为分别响应于所述数据信号的上升沿和下降沿生成第一脉冲信号和第二脉冲信号；第二均衡电路，所述第二均衡电路被配置为基于反相的第一脉冲信号和反相的第二脉冲信号输出第二均衡信号，所述反相的第一脉冲信号和所述反相的第二脉冲信号分别是所述第一脉冲信号的反相和所述第二脉冲信号的反相；以及输出端子，所述输出端子被配置为输出所述第一均衡信号和所述第二均衡信号已经被相加的输出信号。
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公开(公告)号：CN103367369B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201310103506.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517
CPC classification number: H01L29/7831 , G11C11/403 , G11C11/40615 , G11C11/4097 , G11C2207/2227 , H01L27/105 , H01L27/115
Abstract: 各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。
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