公开(公告)号：CN118475128A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311215751.0

申请日：2023-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千相勋 ,  李在训 ,  赵卿泽 ,  张东爀 ,  韩智勋

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/10

Abstract: 提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：电路区域，包括位于第一基板上的外围电路结构；单元区域，位于电路区域上并且包括单元阵列区域和连接区域，该单元区域包括：第二基板；栅极堆叠结构，位于第二基板上并且包括下结构和上结构，下结构和上结构包括栅电极；沟道结构，穿透栅极堆叠结构；栅极接触，穿透栅极堆叠结构以电连接到电路区域，并且电连接到通过栅电极与栅极接触之间的绝缘图案与栅电极绝缘的连接栅电极；以及边界绝缘图案，部分地形成在下结构的栅电极当中与上结构和下结构之间的边界部分相邻的边界栅电极中从而围绕栅极接触以维持边界栅电极的电连接路径，并且具有与绝缘图案的结构不同的结构。