-
公开(公告)号：CN117440689A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310624659.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：外围电路结构，其包括电路、布线层和通路接触；板公共源极线，其覆盖所述外围电路结构；绝缘插塞，其穿过所述板公共源极线；横向绝缘间隔物，其位于所述外围电路结构与所述板公共源极线之间；存储堆叠结构，其包括位于所述板公共源极线上的栅极线；贯通接触，其穿过所述栅极线中的至少一条栅极线和所述绝缘插塞，所述贯通接触连接到所述通路接触中的第一通路接触；以及源极线接触，其穿过所述横向绝缘间隔物，所述源极线接触位于所述通路接触中的第二通路接触与所述板公共源极线之间，其中，在横向方向上所述第一通路接触的宽度大于所述绝缘插塞的宽度。
-
公开(公告)号：CN116528587A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211640505.5
申请日：2022-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了3D半导体存储器件、包括该3D半导体存储器件的电子系统以及制造该3D半导体存储器件的方法。3D半导体存储器件包括：下选择线，在衬底上沿第一方向延伸，并且在与衬底的顶面平行且与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开；中间堆叠结构，包括交替堆叠在下选择线上的电极层和电极层间介电层；上选择线，在中间堆叠结构上沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第一抛光停止层，设置在中间堆叠结构与下选择线之间。第一抛光停止层包括与电极层间介电层的材料不同的材料。
-
公开(公告)号：CN118475128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311215751.0
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：电路区域，包括位于第一基板上的外围电路结构；单元区域，位于电路区域上并且包括单元阵列区域和连接区域，该单元区域包括：第二基板；栅极堆叠结构，位于第二基板上并且包括下结构和上结构，下结构和上结构包括栅电极；沟道结构，穿透栅极堆叠结构；栅极接触，穿透栅极堆叠结构以电连接到电路区域，并且电连接到通过栅电极与栅极接触之间的绝缘图案与栅电极绝缘的连接栅电极；以及边界绝缘图案，部分地形成在下结构的栅电极当中与上结构和下结构之间的边界部分相邻的边界栅电极中从而围绕栅极接触以维持边界栅电极的电连接路径，并且具有与绝缘图案的结构不同的结构。
-
公开(公告)号：CN117812913A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310545947.X
申请日：2023-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括多个突出部、第一沟槽和第二沟槽，多个突出部从衬底的上表面突出并且沿彼此相交的第一方向和第二方向二维布置，第一沟槽沿第一方向设置在突出部之间，第二沟槽沿第二方向设置在突出部之间；第一器件隔离层，填充第一沟槽；栅极图案，设置在沿第二方向的突出部上，突出部的上表面分别在栅极图案的两侧暴露；以及第二器件隔离层，填充在第二方向上的栅极图案之间的空间和第二沟槽，并且每个栅极图案具有与第二沟槽相邻并且与第二沟槽的内壁对齐的第一侧壁。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.03 seconds)
