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公开(公告)号：CN107393590B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201710218129.3
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种包括排列在多个单元串中的多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法包括：顺序地在第一间隔期间将第一通过电压施加到连接到多个存储单元的字线的未选择的字线并在第二间隔期间将高于第一通过电压的第二通过电压施加到未选择的字线；以及在第一间隔中将编程电压施加到连接到多个存储单元的字线的选择的字线之后，将低于编程电压的放电电压施加到选择的字线，以及在第二间隔期间将编程电压施加到选择的字线。
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公开(公告)号：CN107230496B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710187763.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
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公开(公告)号：CN107230496A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710187763.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/28
Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
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公开(公告)号：CN107393590A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710218129.3
申请日：2017-04-05
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3459 , G11C16/08
Abstract: 一种包括排列在多个单元串中的多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法包括：顺序地在第一间隔期间将第一通过电压施加到连接到多个存储单元的字线的未选择的字线并在第二间隔期间将高于第一通过电压的第二通过电压施加到未选择的字线；以及在第一间隔中将编程电压施加到连接到多个存储单元的字线的选择的字线之后，将低于编程电压的放电电压施加到选择的字线，以及在第二间隔期间将编程电压施加到选择的字线。
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公开(公告)号：CN110021311B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201811293761.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：包含多个存储单元的存储单元阵列；用于执行多个读取操作并且存储读取操作的结果的页缓冲器，其中，读取操作中的每一个包括用于多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作；多读出管理器，用于确定多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制页缓冲器执行读取操作；以及数据识别器，用于基于读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态，其中，多读出管理器确定用于读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110136764B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201910057925.2
申请日：2019-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。
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公开(公告)号：CN114203217A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110838978.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种通过使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备。所述存储设备利用特定时间差控制感测偶数页面缓冲器电路的位线的感测时间点以及感测奇数页面缓冲器电路的位线的感测时间点，并且以偶数感测和奇数感测的所述顺序执行奇偶感测(EOS)操作。所述存储设备执行两步EOS操作，并根据所述两步EOS操作的结果对选定存储单元执行主感测操作。
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公开(公告)号：CN110021311A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811293761.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：包含多个存储单元的存储单元阵列；用于执行多个读取操作并且存储读取操作的结果的页缓冲器，其中，读取操作中的每一个包括用于多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作；多读出管理器，用于确定多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制页缓冲器执行读取操作；以及数据识别器，用于基于读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态，其中，多读出管理器确定用于读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。
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公开(公告)号：CN110010184B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201811493156.2
申请日：2018-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作存储设备来读取数据的方法可包括：在与第一读取操作有关的第一读取时间间隔中，确定包括在多个物理存储页之中的第一物理存储页中的目标逻辑存储页的最高有效编程状态的阈值电压分布，其中，第一读取操作是读取第一物理存储页的目标逻辑存储页的操作；向存储控制器发送分布确定结果，其中，分布确定结果与阈值电压分布有关；从存储控制器接收基于分布确定结果而校正的偏移电平；以及在对所述多个物理存储页之中的第二物理存储页执行第二读取操作之前基于偏移电平来调整读取电压。
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