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公开(公告)号：CN111009280B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910832232.6
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中，控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。
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公开(公告)号：CN107797935B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201710790427.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C7/24
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
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公开(公告)号：CN118116439A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311462210.8
申请日：2023-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线的多个存储器单元；地址解码器，其基于从包括第一温度传感器的外部装置接收的地址来控制多条字线当中的所选字线；第二温度传感器，其测量多个存储器单元当中的连接到所选字线的第一存储器单元的读温度；以及温度补偿电路，其基于读温度和由第一温度传感器测量出的第一存储器单元的编程温度来计算读电平偏移，并且基于读电平偏移来生成补偿读电压。地址解码器还被配置为将补偿读电压提供给所选字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107564562B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201710521176.5
申请日：2017-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个包括存储单元。控制器在读取操作期间从自存储块中所选择的存储块的选择的存储单元读取数据。该选择的存储单元对应于被选择作为读取目标的字线和串选择线两者。控制器将读取计数增加对应于选择的存储块的选择的字线和串选择线的读取权重，并且如果读取计数达到阈值，则对选择的存储单元执行刷新操作。在选择的存储块中，根据串选择线和字线的位置分配两个或更多个读取权重。
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公开(公告)号：CN107797935A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710790427.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C7/24
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06N20/00 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/24
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
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公开(公告)号：CN108108810B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201711191140.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号：CN111009280A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910832232.6
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中，控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。
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公开(公告)号：CN109671462A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201810863665.3
申请日：2018-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/10 , G06K9/6223 , G06K9/6226 , G11C5/063 , G11C8/12 , G11C16/08 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C16/26
Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。
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