公开(公告)号：CN111192608B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201910921185.2

申请日：2019-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴玄教 ,  文相权

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了监视和存储块的导通单元计数的存储装置及其操作方法。一种存储装置包括：非易失性存储器，包括多个块；缓冲存储器；以及控制器，将导通单元计数存储在所述缓冲存储器中，所述导通单元计数指示连接到所述多个块中的每个块的参考字线的存储器单元之中的由施加到所述参考字线的读取电平导通的存储器单元的数量。

公开(公告)号：CN106484320A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610796626.7

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文相权 ,  李澈 ,  崔贤镇

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G11C16/349 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0679 ,  G11C13/0035 ,  G11C16/3495

Abstract: 一种存储设备，包括闪速存储器和存储器控制。闪速存储器包括多个存储器块。存储器控制器被配置为确定与多个存储器块之中的所选择的存储器块的重用时段相对应的快速循环权重，并且使用快速循环权重来管理所选择的存储器块的耗损均衡。

公开(公告)号：CN109753441A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811199834.4

申请日：2018-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀炫 ,  徐东永 ,  文相权

IPC: G06F12/02

Abstract: 提供了一种数据存储设备。该数据存储设备包括：缓冲器，被配置为存储映射表，该映射表包括与逻辑块地址(LBA)相对应的物理块地址(PBA)；非易失性存储器，被配置为存储数据；以及控制器，被配置为控制缓冲器和非易失性存储器。控制器被配置为：当从数据存储设备外部接收到读取与第一LBA相对应的数据的命令时，通过参考映射表来读取存储在非易失性存储器的与第一LBA相对应的第一PBA处的数据，以及，当从非易失性存储器读取的数据中包括的第二LBA与第一LBA不同时，重试从非易失性存储器读取与第一LBA相对应的数据。

公开(公告)号：CN111309517B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201910840852.4

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  权珉彻 ,  文相权 ,  丁相元

IPC: G06F11/14

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列中的多级单元，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，并且所述存储器块中的每一个包括多个页。操作非易失性存储器设备的方法包括：在存储器块的预编程块中预编程多位数据，基于指示多级单元的状态的状态代码将多级单元划分为多个状态组，以生成指示对应于状态组的状态组代码的摘要数据，并且在存储器块的摘要块中编程摘要数据。

公开(公告)号：CN118506838A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311536920.0

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐永周 ,  徐荣德 ,  文相权 ,  吴玄教 ,  吴熙泰 ,  李熙元 ,  金志守

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16

Abstract: 公开了用于非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：启动包括在非易失性存储器装置中的相应存储器块的相应可靠性操作的第一实例，相应可靠性操作包括检测相应存储器块的劣化水平并且基于检测到的劣化水平来设置相应跳过参考值；确定相应可靠性操作的连续跳过实例的相应数量是否小于设置的相应跳过参考值；以及基于确定结果，选择性地跳过或执行相应可靠性操作的下一实例。

公开(公告)号：CN109753441B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201811199834.4

申请日：2018-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀炫 ,  徐东永 ,  文相权

IPC: G06F12/02

Abstract: 提供了一种数据存储设备。该数据存储设备包括：缓冲器，被配置为存储映射表，该映射表包括与逻辑块地址(LBA)相对应的物理块地址(PBA)；非易失性存储器，被配置为存储数据；以及控制器，被配置为控制缓冲器和非易失性存储器。控制器被配置为：当从数据存储设备外部接收到读取与第一LBA相对应的数据的命令时，通过参考映射表来读取存储在非易失性存储器的与第一LBA相对应的第一PBA处的数据，以及，当从非易失性存储器读取的数据中包括的第二LBA与第一LBA不同时，重试从非易失性存储器读取与第一LBA相对应的数据。

公开(公告)号：CN110491435A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910438472.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 文相权 ,  金敬镐 ,  金志烘 ,  郑宰镛

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 一种从存储器设备的存储器块读取数据的方法，该方法包括：响应于从存储器块读数据的请求而检测存储器块的写模式；基于存储器块的所检测的写模式来设置读电压；以及使用所设置的读电压来从存储器块读取数据。

公开(公告)号：CN119512443A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410708471.1

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  李晋永 ,  金志守 ,  文相权 ,  吴玄教 ,  林东厚 ,  郑珍久

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开提供了存储装置及其运行方法。所述存储装置包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件被配置为存储快速单元信息，所述快速单元信息是从通过针对存储单元的单次编程形成的阈值电压分布获得的；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为在引导或初始化期间从所述非易失性存储器件读取所述快速单元信息，以执行基于快速单元管理策略对快速单元区域进行映射，其中，所述快速单元信息是通过在测试阶段或大量生产评价阶段中执行的所述单次编程获取的，并且在所述存储控制器的固件被运行之前被存储在所述非易失性存储器件中。

公开(公告)号：CN110491435B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201910438472.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 文相权 ,  金敬镐 ,  金志烘 ,  郑宰镛

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 一种从存储器设备的存储器块读取数据的方法，该方法包括：响应于从存储器块读数据的请求而检测存储器块的写模式；基于存储器块的所检测的写模式来设置读电压；以及使用所设置的读电压来从存储器块读取数据。

公开(公告)号：CN106484320B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201610796626.7

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文相权 ,  李澈 ,  崔贤镇

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种存储设备，包括闪速存储器和存储器控制。闪速存储器包括多个存储器块。存储器控制器被配置为确定与多个存储器块之中的所选择的存储器块的重用时段相对应的快速循环权重，并且使用快速循环权重来管理所选择的存储器块的耗损均衡。