公开(公告)号：CN118506838A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311536920.0

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐永周 ,  徐荣德 ,  文相权 ,  吴玄教 ,  吴熙泰 ,  李熙元 ,  金志守

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16

Abstract: 公开了用于非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述被配置为控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法包括：启动包括在非易失性存储器装置中的相应存储器块的相应可靠性操作的第一实例，相应可靠性操作包括检测相应存储器块的劣化水平并且基于检测到的劣化水平来设置相应跳过参考值；确定相应可靠性操作的连续跳过实例的相应数量是否小于设置的相应跳过参考值；以及基于确定结果，选择性地跳过或执行相应可靠性操作的下一实例。

公开(公告)号：CN114765048A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111476322.X

申请日：2021-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东旻 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  徐荣德

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了非易失性存储器装置、控制器及其操作方法。所述控制器包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；以及纠错电路，被配置为：根据从多个纠错解码等级之中选择的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。

公开(公告)号：CN114078518A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110737259.4

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相炫 ,  徐荣德 ,  卢羌镐

IPC: G11C14/00 ,  G06N3/063

Abstract: 提供了一种存储装置和用于该存储装置的操作方法。该存储装置通过从非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域恢复导通单元计数(OCC)来执行读操作。非易失性存储器包括存储器块、缓冲存储器和控制器。缓冲存储器存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量。当存储装置中发生突然断电时，控制器将各个存储器块的OCC1存储在PLP区域中。

公开(公告)号：CN117520212A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310422983.7

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  金真怜 ,  金炫我 ,  朴世桓 ,  徐荣德 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种操作非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备被配置为与存储控制器通信，所述方法包括：从存储控制器接收指示读取回收确定并包括环境信息的第一请求，基于第一请求执行第一片上读取操作以用于生成第一分布信息，基于第一分布信息确定是否需要读取回收，以及响应于确定需要读取回收，向存储控制器提供具有第一位值的确定结果。

公开(公告)号：CN114664354A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111581392.1

申请日：2021-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真怜 ,  朴世桓 ,  朴一汉 ,  徐荣德 ,  申东旻

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 存储器件可以包括存储块和控制电路。存储块可以包括第一子块和第二子块，第一子块和第二子块连接在公共源极线与多条位线之间并且可以竖直堆叠。控制电路可以被配置为基于第一子块和第二子块的位置，选择公共源极线和多条位线中的一者作为擦除电压的传输路径，并以子块为单位对第一子块和第二子块执行擦除操作。

公开(公告)号：CN117437965A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310301818.6

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  全秀昶 ,  金洙贤 ,  金炫我 ,  徐荣德 ,  吴玄教 ,  林东厚 ,  田炳宽

IPC: G11C29/42 ,  G11C16/34

Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法。该方法包括向非易失性存储器设备提供读取命令，从非易失性存储器设备接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息，确定第一读取数据的错误是否可纠正，以及响应于确定第一读取数据的错误可纠正，基于第一分布信息更新存储控制器中的历史表的偏移信息。

公开(公告)号：CN114764313A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210035693.2

申请日：2022-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴世桓 ,  金真怜 ,  朴一汉 ,  徐荣德

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10

Abstract: 公开了存储器控制器、存储器装置和存储装置。当从执行读取操作的存储器装置接收的读取数据中的错误无法被纠正时，存储器装置可以从存储器单元的阈值电压分布确定单元计数信息，并且可以基于单元计数信息确定检测情况。存储器控制器可以控制存储器装置使用考虑读取电压的与检测情况对应的偏移电压而确定的发展时间来执行读取操作。当读取数据中的错误被成功地纠正时，存储器控制器可以使用通过将单元计数信息输入到机器学习模型而获得的动态偏移电压来更新存储在存储器控制器中的表。

公开(公告)号：CN114724607A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111192474.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐荣德 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  申东旻 ,  姜宇现 ,  吴信镐

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G06N3/04

Abstract: 提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该方法包括：将设置在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的存储器块划分为多个保留组；生成包括与多个保留组对应的多个擦除编程间隔(EPI)值的时间差信息；生成包括与多个默认读取电压和多个纠正的读取电压之间的差对应的多个偏移值的偏移信息；基于偏移信息和时间差信息生成与读取地址对应的补偿的读取电压；和基于读取地址和补偿的读取电压执行读取操作以从非易失性存储器设备读取数据。

公开(公告)号：CN114496042A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111085058.7

申请日：2021-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴世桓 ,  金真怜 ,  徐荣德 ,  朴一汉

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/08

Abstract: 公开了存储装置的读取方法及非易失性存储器装置。存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器。所述至少一个非易失性存储器装置通过根据命令锁存启用(CLE)信号和地址锁存启用(ALE)信号在写入启用(WE)信号的边沿锁存读取命令来执行片上谷搜索(OVS)操作。响应于特定命令，控制器从所述至少一个非易失性存储器装置接收根据OVS操作的检测信息。OVS操作包括使用读取电平的第一OVS操作和使用改变后的读取电平的第二OVS操作。

公开(公告)号：CN114974338B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202210181050.9

申请日：2022-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐荣德 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  朴一汉

IPC: G11C8/08 ,  G11C7/12 ,  G11C29/42

Abstract: 一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。