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公开(公告)号：CN119479739A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410261196.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置、一种存储器系统和一种控制非易失性存储器装置的操作的方法。该非易失性存储器装置包括存储器块、页缓冲器电路和控制电路。页缓冲器电路通过位线连接到单元串。控制电路通过以下操作来控制读取操作：通过基于读取电压设定对由访问地址指定的选择的字线执行第一读取操作，将第一感测数据和第二感测数据锁存在页缓冲器电路中；通过基于至少一个相邻的读取电压对与选择的字线相邻的干扰字线执行第二读取操作，将第三感测数据锁存在页缓冲器电路中；基于第三感测数据的编程状态来选择第一感测数据和第二感测数据之一作为硬判决数据；以及通过使用第一感测数据和第二感测数据来生成软判决数据。
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公开(公告)号：CN116129974A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211096242.6
申请日：2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。
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公开(公告)号：CN114446366A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111274226.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置的读取方法、非易失性存储器装置和存储装置。该方法包括：响应于第一读命令使用默认读电平执行正常读操作；以及当正常读操作中读取的读取数据不可纠正时，响应于第二读命令使用多芯片上谷搜索(OVS)感测操作执行读操作。
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公开(公告)号：CN114446361A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111082318.5
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其读取方法和控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块和控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为响应于第一读取命令而对连接到所述多个存储器块之中的响应于地址而选择的存储器块的一条字线的存储器单元执行第一页片上谷搜索(OVS)操作。控制逻辑电路还被配置为使用第一页OVS操作的检测信息来改变至少一个状态的读取电平，并且响应于第二读取命令而使用改变的读取电平对存储器单元执行第二页读取操作。
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公开(公告)号：CN113971983A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110801399.3
申请日：2021-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块，每个所述存储块包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行译码器，所述行译码器被配置为基于地址在所述多个存储块当中选择一个存储块；电压发生器，所述电压发生器被配置为施加与所述多条字线当中的选定字线和未选字线相对应的字线电压；页面缓冲器，所述页面缓冲器连接到所述多条位线，并且被配置为从与所述多个存储块当中的所选择的存储块的所述选定字线当中的一条字线连接的存储单元读取数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述行译码器、所述电压发生器和所述页面缓冲器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108335711A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711426789.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0483
Abstract: 一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。
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公开(公告)号：CN109427397B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810796330.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种存储器装置、一种存储器系统以及一种操作存储器装置的方法。所述存储器装置可包括操作性地连接至共源极线和多条位线的存储器块，其中存储器块包括相对于共源极线和所述多条位线在存储器块中各自具有对应的位置的第一子块和第二子块。可通过从存储器装置外部接收命令和地址来操作存储器装置，并且基于包括被构造为响应于地址而被激活的字线的第一子块或第二子块的对应的位置，利用经过存储器块的第一预充电路径或者经过存储器块的第二预充电路径，响应于命令对存储器块执行预充电操作。
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公开(公告)号：CN107785048B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710740518.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。
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公开(公告)号：CN116110471A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211405464.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。
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公开(公告)号：CN114765048A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111476322.X
申请日：2021-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器装置、控制器及其操作方法。所述控制器包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；以及纠错电路，被配置为：根据从多个纠错解码等级之中选择的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。
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