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公开(公告)号：CN107785048B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710740518.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。
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公开(公告)号：CN107393590B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201710218129.3
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种包括排列在多个单元串中的多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法包括：顺序地在第一间隔期间将第一通过电压施加到连接到多个存储单元的字线的未选择的字线并在第二间隔期间将高于第一通过电压的第二通过电压施加到未选择的字线；以及在第一间隔中将编程电压施加到连接到多个存储单元的字线的选择的字线之后，将低于编程电压的放电电压施加到选择的字线，以及在第二间隔期间将编程电压施加到选择的字线。
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公开(公告)号：CN109285582A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810691199.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 本发明提供一种存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法，可提高非易失性存储器装置的良率、可靠性及寿命。用于控制非易失性存储器装置的错误校验与校正的方法包括将写入数据存储在多个存储区中。所述写入数据可通过执行错误校验与校正编码而产生。可基于从所述存储区读出的多个读取数据中的每一者来执行单独式错误校验与校正解码。当所述单独式错误校验与校正解码关于所有所述读取数据来说均失败时，可通过对所述读取数据执行逻辑运算来提供逻辑运算数据。可基于所述逻辑运算数据来执行组合式错误校验与校正解码。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107393590A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710218129.3
申请日：2017-04-05
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3459 , G11C16/08
Abstract: 一种包括排列在多个单元串中的多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法包括：顺序地在第一间隔期间将第一通过电压施加到连接到多个存储单元的字线的未选择的字线并在第二间隔期间将高于第一通过电压的第二通过电压施加到未选择的字线；以及在第一间隔中将编程电压施加到连接到多个存储单元的字线的选择的字线之后，将低于编程电压的放电电压施加到选择的字线，以及在第二间隔期间将编程电压施加到选择的字线。
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公开(公告)号：CN107045892A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611071045.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3481 , G11C16/10
Abstract: 公开了非易失性存储器和包括非易失性存储器的存储装置。存储装置包括非易失性存储器和控制器。控制器向非易失性存储器提供第一数据、地址和编程开始命令，并在向非易失性存储器提供编程开始命令后向非易失性存储器提供第二数据。非易失性存储器被配置为响应于编程开始命令而启动基于第一数据的编程操作并在向非易失性存储器提供第二数据时基于第一数据和第二数据继续执行编程操作。非易失性存储器被配置为基于第一数据执行第一编程循环的编程和验证读取，第一编程循环的验证读取使用一个验证电压来执行。
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公开(公告)号：CN109285582B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810691199.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 本发明提供一种存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法，可提高非易失性存储器装置的良率、可靠性及寿命。用于控制非易失性存储器装置的错误校验与校正的方法包括将写入数据存储在多个存储区中。所述写入数据可通过执行错误校验与校正编码而产生。可基于从所述存储区读出的多个读取数据中的每一者来执行单独式错误校验与校正解码。当所述单独式错误校验与校正解码关于所有所述读取数据来说均失败时，可通过对所述读取数据执行逻辑运算来提供逻辑运算数据。可基于所述逻辑运算数据来执行组合式错误校验与校正解码。
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公开(公告)号：CN107045892B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201611071045.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器和包括非易失性存储器的存储装置。存储装置包括非易失性存储器和控制器。控制器向非易失性存储器提供第一数据、地址和编程开始命令，并在向非易失性存储器提供编程开始命令后向非易失性存储器提供第二数据。非易失性存储器被配置为响应于编程开始命令而启动基于第一数据的编程操作并在向非易失性存储器提供第二数据时基于第一数据和第二数据继续执行编程操作。非易失性存储器被配置为基于第一数据执行第一编程循环的编程和验证读取，第一编程循环的验证读取使用一个验证电压来执行。
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公开(公告)号：CN107230496B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710187763.5
申请日：2017-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C16/08
Abstract: 存储器设备的数据读取操作方法包括：将具有第一准备电平和第一目标电平的读取电压施加到存储器设备中的选择的单元的字线以读取选择的单元的编程状态，将具有第二准备电平和第二目标电平的第一读取通过电压施加到不与选择的单元相邻且在与选择的单元相同的串中的第一未选择的单元的至少一个字线，并将具有第三目标电平的第二读取通过电压施加到与选择的单元相邻的至少一个第二未选择的单元的字线。
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