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发明公开
非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116129974A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211096242.6

申请日：2022-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊镐 , 金真怜 , 朴世桓 , 李书荣 , 李知尚 , 张俊锡

IPC: G11C16/34 , G11C16/10 , G11C16/08

Abstract: 提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。

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