公开(公告)号：CN110491435A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910438472.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 文相权 ,  金敬镐 ,  金志烘 ,  郑宰镛

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 一种从存储器设备的存储器块读取数据的方法，该方法包括：响应于从存储器块读数据的请求而检测存储器块的写模式；基于存储器块的所检测的写模式来设置读电压；以及使用所设置的读电压来从存储器块读取数据。

公开(公告)号：CN110491435B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201910438472.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 文相权 ,  金敬镐 ,  金志烘 ,  郑宰镛

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 一种从存储器设备的存储器块读取数据的方法，该方法包括：响应于从存储器块读数据的请求而检测存储器块的写模式；基于存储器块的所检测的写模式来设置读电压；以及使用所设置的读电压来从存储器块读取数据。

公开(公告)号：CN104240760B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201410262009.X

申请日：2014-06-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 文相权 ,  金敬镐 ,  金志烘 ,  郑宰镛

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 一种操作存储器设备的方法包括：基于在存储器块上执行的擦除周期的数量和用于执行每个擦除周期的擦除电压来确定擦除模式；以及基于所确定的擦除模式来设置用于在存储器块上执行擦除操作的擦除电压电平。

公开(公告)号：CN104240760A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410262009.X

申请日：2014-06-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 文相权 ,  金敬镐 ,  金志烘 ,  郑宰镛

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 一种操作存储器设备的方法包括：基于在存储器块上执行的擦除周期的数量和用于执行每个擦除周期的擦除电压来确定擦除模式；以及基于所确定的擦除模式来设置用于在存储器块上执行擦除操作的擦除电压电平。

公开(公告)号：CN110618952B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910123792.4

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李澈 ,  金敬镐 ,  金石焕 ,  黄珠荣

IPC: G06F13/16 ,  G06F13/24

Abstract: 提供了一种半导体装置、主机装置和半导体系统。半导体装置包括：非易失性存储器；装置接口电路，从主机接收输入/输出(I/O)请求；以及装置控制器，根据I/O请求对非易失性存储器执行数据访问，并且在完成数据访问之前的预定时间向主机发送中断。

公开(公告)号：CN113452370A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202011410358.3

申请日：2020-12-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金敬镐 ,  吴东烈 ,  柳承卓

IPC: H03M1/12

Abstract: 一种模数转换器包括第一模数转换单元，所述第一模数转换单元被配置为：在第一模数转换操作期间：响应于差分采样信号对和n个差分信号对当中的第一差分信号对至第n‑1差分信号对中的相应对，对n个第一差分节点对中的每对顺序进行充电；响应于所述n个第一差分节点对中的每对被顺序充电，顺序生成n个第一差分数据对中的每对；并且响应于顺序生成的所述n个第一差分数据对中的相应对，顺序生成要用作n位高位数字数据的n个上差分数据对中的每对。所述第一模数转换单元还被配置为：在第二模数转换操作中，响应于所述n个差分信号对当中的第n差分信号对，对所述n个第一差分节点对中的每对同时进行放电。

公开(公告)号：CN101572118A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910137861.3

申请日：2009-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大贤 ,  朴光一 ,  金敬镐 ,  金贤真 ,  金惠兰

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/408

CPC classification number: G11C8/18 ,  G11C7/08 ,  G11C8/12 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4091

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器装置及其存取方法。示例实施例提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：单元阵列，设置为多个行和多个列；以及读出放大器，响应于与存取时间相对应的写命令和读命令对单元阵列进行写操作和读操作，存取时间的时段可以是可变的。读出放大器根据存取时间的时段来调节写入数据和读出数据的脉冲宽度。

公开(公告)号：CN113452370B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202011410358.3

申请日：2020-12-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金敬镐 ,  吴东烈 ,  柳承卓

IPC: H03M1/12

Abstract: 一种模数转换器包括第一模数转换单元，所述第一模数转换单元被配置为：在第一模数转换操作期间：响应于差分采样信号对和n个差分信号对当中的第一差分信号对至第n‑1差分信号对中的相应对，对n个第一差分节点对中的每对顺序进行充电；响应于所述n个第一差分节点对中的每对被顺序充电，顺序生成n个第一差分数据对中的每对；并且响应于顺序生成的所述n个第一差分数据对中的相应对，顺序生成要用作n位高位数字数据的n个上差分数据对中的每对。所述第一模数转换单元还被配置为：在第二模数转换操作中，响应于所述n个差分信号对当中的第n差分信号对，对所述n个第一差分节点对中的每对同时进行放电。

公开(公告)号：CN109725850B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201811255820.X

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰桓 ,  金敬镐 ,  金玟澈 ,  萨加尔·乌塔瓦 ,  宋容佶 ,  申旼坤 ,  刘善美 ,  张贤寿 ,  丁胜衍 ,  崔基炫

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了一种存储设备，包括非易失性存储器，该非易失性存储器包括第一块、第二块和块管理区域，块管理区域存储第一块和第二块中的每一个的初始数据写入时间和最终数据写入时间。存储设备还包括存储器控制器，该存储器控制器响应于标识第一数据的永久删除命令来确定第一数据的创建时间和修改时间、通过将第一块和第二块中的每一个的初始数据写入时间和最终数据写入时间与创建时间和修改时间相比较，选择要永久删除的第一块和第二块中的至少一个，并永久地删除所选择的第一块和第二块中的至少一个。

公开(公告)号：CN108737751B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201810157042.4

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李多熙 ,  金大官 ,  鲁尧焕 ,  金敬镐 ,  金採盛 ,  闵桐基 ,  赵成元 ,  崔允硕

IPC: H04N5/359

Abstract: 被配置为处理图像信号的串扰的串扰处理模块包括校正元素生成单元、存储器和串扰校正检查单元。校正元素生成单元接收所述图像信号和输入信息，并且基于所述输入信息和相对于颜色分离所述图像信号获得的代表性图像信号，生成用于校正所述串扰的种子值和校正参数，其中，所述输入信息与至少所述图像信号的尺寸相关联。所述存储器存储种子值和校正参数。串扰校正检查单元，被配置为接收图像信号，接收所述种子值，以及从所述存储器接收校正串扰的所述校正参数，以及输出最终图像信号和指示基于多个参考值对串扰的校正是通过还是失败的通过/失败信息。