公开(公告)号：CN102005456B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201010264991.6

申请日：2010-08-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孙炳根 ,  金汉洙 ,  安永洙 ,  金敏求 ,  金镇瑚 ,  崔在亨 ,  崔锡宪 ,  沈载株 ,  赵源锡 ,  沈善一 ,  林周永

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L23/00 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。

公开(公告)号：CN102034760B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201010505766.7

申请日：2010-09-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金镇瑚 ,  孙丙根 ,  金汉洙 ,  李源俊 ,  张大铉

IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： 本发明提供了一种三维半导体存储器器件及其制造方法。制造半导体存储器器件的方法包括：在衬底上，交替并重复地堆叠牺牲层和绝缘层；形成穿过所述牺牲层和所述绝缘层的有源图案；对所述绝缘层和所述牺牲层连续构图，以形成沟槽；去除所述沟槽中暴露的牺牲层以形成凹进区，暴露所述有源图案的侧壁；在所述衬底上形成信息储存层；在所述信息储存层上形成栅传导层，使得所述栅传导层填充所述凹进区并且限定所述沟槽中的空区，所述空区由所述栅传导层环绕；以及对所述栅传导层执行各向同性蚀刻工艺，以在所述凹进区中形成栅电极，使得所述栅电极彼此分开。

公开(公告)号：CN102034760A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010505766.7

申请日：2010-09-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金镇瑚 ,  孙丙根 ,  金汉洙 ,  李源俊 ,  张大铉

IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： 本发明提供了一种三维半导体存储器器件及其制造方法。制造半导体存储器器件的方法包括：在衬底上，交替并重复地堆叠牺牲层和绝缘层；形成穿过所述牺牲层和所述绝缘层的有源图案；对所述绝缘层和所述牺牲层连续构图，以形成沟槽；去除所述沟槽中暴露的牺牲层以形成凹进区，暴露所述有源图案的侧壁；在所述衬底上形成信息储存层；在所述信息储存层上形成栅传导层，使得所述栅传导层填充所述凹进区并且限定所述沟槽中的空区，所述空区由所述栅传导层环绕；以及对所述栅传导层执行各向同性蚀刻工艺，以在所述凹进区中形成栅电极，使得所述栅电极彼此分开。

公开(公告)号：CN102005456A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010264991.6

申请日：2010-08-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孙炳根 ,  金汉洙 ,  安永洙 ,  金敏求 ,  金镇瑚 ,  崔在亨 ,  崔锡宪 ,  沈载株 ,  赵源锡 ,  沈善一 ,  林周永

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L23/00 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。

公开(公告)号：CN101165875A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710181855.9

申请日：2007-10-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郭东华 ,  朴载宽 ,  沈载煌 ,  金镇瑚 ,  金奇南

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

摘要： 在一个实施例中，半导体器件包括奇数接触和各个奇数线。通过执行刻蚀工艺，在奇数线的侧壁上形成隔层，并且形成用于偶数线的偶数开口。在偶数开口中形成偶数接触并且随后形成偶数线。

公开(公告)号：CN101826528A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010175237.5

申请日：2010-02-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金基玄 ,  金汉洙 ,  赵源锡 ,  金镇瑚 ,  张在焄 ,  孙炳根

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括交替地层叠在衬底上的绝缘图案和栅图案；在衬底上沿绝缘图案和栅图案的侧壁向上延伸的有源图案；插置在栅图案和有源图案之间的数据存储图案；以及设置于在彼此相邻的一对栅图案之间的有源图案中的源/漏区。