-
公开(公告)号：CN101009482A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610121686.5
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H9/0547 , H01L2924/0002 , H03H9/587 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种能够通过在单个芯片内封装多个元件而在晶片上制造的射频(RF)模块、包括所述RF模块的多RF模块和制造所述RF模块的方法。所述RF模块包括：基础衬底；第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理RF信号；第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理RF信号；盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极。
-
公开(公告)号：CN114843222A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202111225800.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 公开了半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：介电层；沟槽，形成在介电层中；金属图案，共形地覆盖介电层的顶表面、沟槽的内侧表面和沟槽的底表面；第一保护层，共形地覆盖金属图案；以及第二保护层，覆盖第一保护层。腔形成在沟槽中。腔被第一保护层围绕。第一保护层具有穿透第一保护层且从第一保护层的顶表面延伸的开口。开口连接到腔。第二保护层的一部分延伸到开口中并且将腔封闭。
-
公开(公告)号：CN103033269A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210382042.7
申请日：2012-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/023 , B82Y20/00 , G01J5/024 , G01J5/0853 , G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种红外热检测器及其制造方法。该红外热检测器包括：基板；检测器，与基板间隔开，经由局域表面等离子体共振吸收入射红外光，并根据由所吸收的红外光引起的温度变化来改变电阻值；以及热支路，将来自检测器的信号传输到基板。
-
公开(公告)号：CN103033269B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201210382042.7
申请日：2012-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/023 , B82Y20/00 , G01J5/024 , G01J5/0853 , G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种红外热检测器及其制造方法。该红外热检测器包括：基板；检测器，与基板间隔开，经由局域表面等离子体共振吸收入射红外光，并根据由所吸收的红外光引起的温度变化来改变电阻值；以及热支路，将来自检测器的信号传输到基板。
-
公开(公告)号：CN1980075A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610128982.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , H03H9/0571 , H03H9/588 , H03H9/706
Abstract: 本发明公开了一种双工器，该双工器防止发射机滤波器和接收机滤波器之间的效应。该双工器包括：基底；发射机滤波器，制造在基底的表面上的预定第一区域中；接收机滤波器，制造在基底的表面上的预定第二区域中；气腔，通过刻蚀基底制造在预定第一区域和预定第二区域之间的区域中，以将发射机滤波器和接收机滤波器彼此隔离。将气腔垂直于发射机滤波器和接收机滤波器设置的方向制造在基底中。因此，可有效地截断元件之间的物理效应。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN100474773C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510124880.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/0571 , H03H9/706 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4902 , Y10T29/49155
Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。
-
公开(公告)号：CN1783712A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510124880.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/0571 , H03H9/706 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4902 , Y10T29/49155
Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。
-
公开(公告)号：CN116387248A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211667448.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/482 , H01L23/498 , H10B12/00 , H10B63/00 , H10B41/00 , H10B43/00 , H10B51/00 , H10B53/00 , H01L21/78 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 提供了一种集成电路器件及封装集成电路器件。所述集成电路器件包括半导体基板，所述半导体基板中具有第一器件区域、第二器件区域和划片线区域。在所述第一器件区域与所述第二器件区域之间延伸的划片线区域包括与所述第一器件区域相邻的第一边缘区域、与所述第二器件区域相邻的第二边缘区域和在所述第一器件区域与所述第二器件区域之间延伸的切割区域。下层间绝缘层设置在所述第一器件区域和所述第二器件区域上且设置在所述划片线区域上。设置有第一多级保护环，当从俯视视角观察时，所述第一多级保护环至少部分地围绕所述第一器件区域。设置有具有凹部的绝缘结构。所述凹部邻近所述第一多级保护环延伸并且暴露所述下层间绝缘层的上表面。
-
公开(公告)号：CN105577135A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510977914.8
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够通过在单个芯片内封装多个元件而在晶片上制造的射频(RF)模块、包括所述RF模块的多RF模块和制造所述RF模块的方法。所述RF模块包括：基础衬底；第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理RF信号；第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理RF信号；盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.022 seconds)
