公开(公告)号：CN114843222A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202111225800.X

申请日：2021-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安修旻 ,  姜秉浚 ,  金知映 ,  朴海锡 ,  张喆淳

IPC: H01L21/768

Abstract: 公开了半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：介电层；沟槽，形成在介电层中；金属图案，共形地覆盖介电层的顶表面、沟槽的内侧表面和沟槽的底表面；第一保护层，共形地覆盖金属图案；以及第二保护层，覆盖第一保护层。腔形成在沟槽中。腔被第一保护层围绕。第一保护层具有穿透第一保护层且从第一保护层的顶表面延伸的开口。开口连接到腔。第二保护层的一部分延伸到开口中并且将腔封闭。

公开(公告)号：CN114944364A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111197901.0

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张喆淳 ,  金想起 ,  郑一根 ,  韩正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括半导体衬底、裂纹阻挡层和裂纹阻挡部分。所述半导体衬底可以包括多个芯片区域和被构造为围绕所述多个芯片区域中的每个芯片区域的划线道区域。沟槽可以由所述半导体器件的一个或更多个内表面限定，以形成在所述划线道区域中。所述裂纹阻挡层可以位于所述沟槽的内表面上。所述裂纹阻挡层可以被构造为阻挡在沿着所述划线道区域切割所述半导体衬底期间在所述划线道区域中产生的裂纹扩展到任何所述芯片区域中。所述裂纹阻挡部分可以至少部分地填充所述沟槽，并可以被构造为阻挡所述裂纹从所述划线道区域扩展到任何所述芯片区域中。

公开(公告)号：CN116387248A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211667448.X

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张喆淳 ,  郭世邻 ,  朴海锡

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H10B12/00 ,  H10B63/00 ,  H10B41/00 ,  H10B43/00 ,  H10B51/00 ,  H10B53/00 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了一种集成电路器件及封装集成电路器件。所述集成电路器件包括半导体基板，所述半导体基板中具有第一器件区域、第二器件区域和划片线区域。在所述第一器件区域与所述第二器件区域之间延伸的划片线区域包括与所述第一器件区域相邻的第一边缘区域、与所述第二器件区域相邻的第二边缘区域和在所述第一器件区域与所述第二器件区域之间延伸的切割区域。下层间绝缘层设置在所述第一器件区域和所述第二器件区域上且设置在所述划片线区域上。设置有第一多级保护环，当从俯视视角观察时，所述第一多级保护环至少部分地围绕所述第一器件区域。设置有具有凹部的绝缘结构。所述凹部邻近所述第一多级保护环延伸并且暴露所述下层间绝缘层的上表面。