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公开(公告)号：CN114843222A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202111225800.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 公开了半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：介电层；沟槽，形成在介电层中；金属图案，共形地覆盖介电层的顶表面、沟槽的内侧表面和沟槽的底表面；第一保护层，共形地覆盖金属图案；以及第二保护层，覆盖第一保护层。腔形成在沟槽中。腔被第一保护层围绕。第一保护层具有穿透第一保护层且从第一保护层的顶表面延伸的开口。开口连接到腔。第二保护层的一部分延伸到开口中并且将腔封闭。
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