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公开(公告)号：CN110383435B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201780087841.2
申请日：2017-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L27/095 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备氮化物系半导体层、开关元件和驱动用晶体管，所述开关元件包括：第1电极的第1部分，其形成在所述氮化物系半导体层上；第2电极，其形成在所述氮化物系半导体层上；及第1控制电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，且位于所述第1电极的第1部分与所述第2电极之间，所述驱动用晶体管包括：第1电极的第2部分，其形成在所述氮化物系半导体层上，将相邻的所述第1电极的第1部分彼此连接；第3电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，向所述第1控制电极发送信号；及第2控制电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，且位于所述第1电极的第2部分与所述第3电极之间。由此，在断开开关元件时，即便施加给开关元件的漏极电压发生变动等，开关元件也能够保持断开状态。
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公开(公告)号：CN110383435A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201780087841.2
申请日：2017-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L27/095 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备氮化物系半导体层、开关元件和驱动用晶体管，所述开关元件包括：第1电极的第1部分，其形成在所述氮化物系半导体层上；第2电极，其形成在所述氮化物系半导体层上；及第1控制电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，且位于所述第1电极的第1部分与所述第2电极之间，所述驱动用晶体管包括：第1电极的第2部分，其形成在所述氮化物系半导体层上，将相邻的所述第1电极的第1部分彼此连接；第3电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，向所述第1控制电极发送信号；及第2控制电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，且位于所述第1电极的第2部分与所述第3电极之间。由此，在断开开关元件时，即便施加给开关元件的漏极电压发生变动等，开关元件也能够保持断开状态。
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公开(公告)号：CN101789445B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200911000022.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/808 , H01L27/07 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316
Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN102201380A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110060105.2
申请日：2011-03-11
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L25/04 , H01L23/48
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/06505 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/48844 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01013 , H01L2924/01026 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置(1)中具有：第1下垫板(11)，其具有导电性且与直流电源(2)的一端连接；第2下垫板(12)，其具有导电性且与直流电源(2)的另一端连接；第1开关元件(SW1)，其配设在第1下垫板(11)上，从该第1下垫板(11)侧被供给直流电源(2)的一方，与第1下垫板(11)侧相反的相反侧与第1输出端子(P1)连接；以及第2开关元件(SW2)，其配设在第2下垫板(12)上，从该第2下垫板(12)侧被供给直流电源(2)的另一方，与第2下垫板(12)侧相反的相反侧与第1输出端子(P1)连接。
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公开(公告)号：CN101789445A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200911000022.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/808 , H01L27/07 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316
Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119070795A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410670525.X
申请日：2024-05-28
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 町田修
IPC: H03K17/16
Abstract: 提供栅极驱动电路。栅极驱动电路(10)具有第1开关(S1)和第2开关(S2)。栅极驱动电路(10)具有驱动功率半导体元件(Q0)的第1半导体元件(Q1)和第2半导体元件(Q2)。栅极驱动电路(10)具有控制部(100)，该控制部(100)控制第1半导体元件(Q1)、第2半导体元件(Q2)、第1开关(S1)和第2开关(S2)的导通/断开。控制部(100)在第1开关(S1)导通且第2开关(S2)断开的状态下，将第2半导体元件(Q2)从导通控制为断开之后，使第1半导体元件(Q1)导通，由此使功率半导体元件(Q0)接通。控制部(100)在接通之后，在经过规定的期间之后，使第2开关(S2)导通，然后，使第1开关(S1)断开。
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公开(公告)号：CN115882842A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111149424.0
申请日：2021-09-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 町田修
IPC: H03K17/567 , H02M1/08 , H02M1/088
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体电路、半导体电路的控制方法以及桥电路。所述半导体电路具有：第一电路，其连接开关元件的漏极；第二电路，其连接所述开关元件的门极；第三电路，其连接所述开关元件的源极；以及第四电路，其连接所述开关元件的所述源极；其中，在开关元件被打开的情况下，第四电路被使能(enabled)以使得半导体电路为四端子结构，在开关元件被关闭的情况下，第四电路被去使能(disabled)以使得半导体电路为三端子结构。由此，不仅能够降低开关损失而且能够抑制噪声，并且，还能够抑制反向恢复时的错误动作的产生。
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公开(公告)号：CN104427723A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410413459.4
申请日：2014-08-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供LED驱动电路，其是使用了常通型的宽禁带半导体元件作为开关元件的他激方式的LED驱动电路。LED驱动电路(10a)通过直流输出以恒流点亮LED阵列(LD)，所述直流输出是利用常通型的开关元件(Q1)的接通断开动作而生成的，LED驱动电路(10a)具有：脉冲产生电路(T2)，其输出以开关元件(Q1)的源极端子(输出端子)的电位作为公共电位的正的脉冲信号；以及脉冲信号转换电路(耦合电容器C3)，其将从脉冲产生电路(T2)输出的脉冲信号相对于所述公共电位转换为负的波形，并将转换后的脉冲信号输出到开关元件(Q1)的栅极端子(控制端子)。
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公开(公告)号：CN104427719A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410409540.5
申请日：2014-08-19
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供LED驱动电路，其为使用宽禁带半导体作为开关元件并进行了高频化的降压斩波电路，在该降压斩波电路中，即使存在输入电压变动也能够维持恒流特性。作为解决手段，提供通过直流输出以恒流点亮LED的LED驱动电路(10a)，所述直流输出是利用基于常通型的第1开关元件(Q1)的接通断开动作的电抗器(L)的充放电而生成的，LED驱动电路(10a)具有对流过电抗器(L)的电抗器电流的平均值进行检测的平均值检测电路(跨导放大器OTA、和与跨导放大器OTA的输出端子连接的电容器Ccomp)，并根据由平均值检测电路检测到的电抗器电流的平均值控制使第1开关元件(Q1)断开的时机。
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公开(公告)号：CN102545559B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110396903.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/088
CPC classification number: H03K17/0822 , H02M1/32 , H02M1/36 , H02M3/33507
Abstract: 本发明提供一种使用了不破坏响应性的、能够减少能动钳位元件的损失电力的能动钳位电路的栅极驱动电路及半导体装置。栅极驱动电路驱动开关元件(Tr7)的栅极，其具有：驱动部(晶体管Tr1，Tr2，Tr4，Tr5)，其根据控制信号驱动开关元件(Tr7)；以及有源钳位电路(二极管D1、稳压二极管ZD1、电阻R1、晶体管Tr3、Tr6)，其在施加到开关元件(Tr7)的第1主端子(漏极)与第2主端子(源极)之间的电压为规定电压以上时，强制地切断驱动部对于开关元件(Tr7)的驱动动作，以开关元件(Tr7)的第1主端子与第2主端子之间的电压钳位的方式驱动开关元件(Tr7)。
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