公开(公告)号：CN102637734B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210028773.1

申请日：2012-02-09

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 伊籐裕规 ,  岩渕昭夫 ,  施欣宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。

公开(公告)号：CN1985426A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023252.5

申请日：2005-09-20

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 岩渕昭夫 ,  古越隆一 ,  京野羊一

IPC: H02M1/08 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H03K19/018557 ,  H02M1/08 ,  H02M7/538 ,  H03K17/162 ,  H03K17/6871

Abstract: 驱动装置的电位状态检测电路(29)根据第一电阻(13)与第三电阻(15)的连接点(17)、第三电阻(15)与第一控制用MOSFET(8)的连接点(18)、第二电阻(14)与第四电阻(16)的连接点(19)以及第四电阻(16)与第二控制用MOSFET(9)的连接点(20)的电位差，将信号给予驱动电路(30)，驱动电路(30)基于第一串联电路(11)与第二串联电路(12)的电位，给第一MOSFET(1)的控制端以驱动信号，给负载(4)供电。此时，当适当地设定第一电阻(13)、第二电阻(14)、第三电阻(15)、第四电阻(16)的电阻值，即使产生因急剧电位上升带来的异常信号或噪声，电位状态检测电路(29)也可检测各连接点(17－20)的电位，并可靠地产生输出来防止驱动电路(30)的误操作。

公开(公告)号：CN102354705B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110351212.0

申请日：2009-12-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。

公开(公告)号：CN102222689B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201110095110.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在提升面积使用效率的同时，维持晶体管(T)的特性，还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段，半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。

公开(公告)号：CN102354705A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110351212.0

申请日：2009-12-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。

公开(公告)号：CN102222689A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110095110.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在提升面积使用效率的同时，维持晶体管(T)的特性，还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段，半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。

公开(公告)号：CN100456612C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200580031475.6

申请日：2005-08-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 古越隆一 ,  岩渕昭夫

IPC: H02M3/28

CPC classification number: H02M3/33507 ,  H02M1/32 ,  H02M3/335 ,  H02M2001/0006

Abstract: 一种开关电源装置，具备：启动单元(Q1)，其在接通交流电源(Vac)时将用于开始开关元件(Q7)的开关动作的启动电源提供给控制部(40a)，在开始开关动作后停止向控制部提供启动电源；过热检测单元(45)，其与该启动单元热耦合，且检测由于启动单元的过热而导致的异常；锁存单元(41)，其在启动单元的过热异常以外的异常时，保持开关元件的开关动作的停止状态；启动控制单元(48～50)，其当锁存单元保持开关动作的停止状态时，使平滑电容器(C1)的电荷放电，快速复位关断交流电源时的锁存单元，根据来自过热检测单元的检测信号，使启动单元停止。

公开(公告)号：CN1172377C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN01134756.2

申请日：2001-11-09

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山本诚 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/735 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/36 ,  H01L29/735

Abstract: 横向pnp晶体管包括一个p型的半导体衬底，位于半导体衬底上的n型第一掩埋层，位于第一掩埋层的n型均匀基区，位于均匀基区内的n型第一隔离层，位于均匀基区内部和上表面上的p型第一发射区和第一集电区，位于均匀基区内的分级基区以及位于第一隔离层内的第一基极接触层。分级基区包围了第一主电极区的底部和侧面。介于第一发射区和第一集电区之间的分级基区的掺杂分布是杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区逐渐减小。

公开(公告)号：CN103001458A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210337982.4

申请日：2012-09-13

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 小泽圭一朗 ,  岩渕昭夫 ,  田坂泰 ,  古越隆一

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H02M1/36 ,  H02M3/33523 ,  H02M2001/0006

Abstract: 本发明提供驱动电路，其能够在不使用变压器的辅助绕组的情况下确保控制电路的电源而降低成本。该驱动电路对常通型的高侧开关（Q1）和常断型的低侧开关（Q2）进行导通/断开驱动，高侧开关和低侧开关的串联电路与直流电源并联连接，驱动电路具有：控制电路（10），其通过控制信号使高侧开关和低侧开关导通/断开；整流单元（D2），其一端连接在高侧开关和低侧开关的连接点；电容器（C2），其与整流单元的另一端以及直流电源的一端连接，并向控制电路提供电源；驱动部（A1、AND1、Q3、Q4），其根据来自控制电路的控制信号和来自电容器的电压，对高侧开关和低侧开关进行导通/断开驱动。

公开(公告)号：CN101789445B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200911000022.3

申请日：2009-12-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L27/07 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。