公开(公告)号：CN115537782A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211235658.1

申请日：2022-10-10

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 欧阳亮

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01J37/32 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供硅片载具以及PECVD反应腔。所述硅片载具包括绝缘框架以及嵌套在所述绝缘框架之外的电极框架，所述绝缘框架包括相对的第一绝缘壁以及第二绝缘壁，所述第一绝缘壁以及第二绝缘壁上还对应交叉设置有用于承载硅片的第一电极以及第二电极，所述第一电极从所述第一绝缘壁向外伸出与所述电极框架一侧的第一汇流排连接，所述第二电极从所述第二绝缘壁向外伸出与第二汇流排连接，所述第二汇流排与所述电极框架绝缘并且设置在所述电极框架以及绝缘框架之间。本发明的硅片载具既能在PECVD反应腔腔外载送硅片减少硅片花篮的使用，又能在腔内进行等离子体放电，还能使反应腔中能同时容纳更多的硅片，从而提高PECVD工艺的产能。

公开(公告)号：CN114497260A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210117506.5

申请日：2022-02-08

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 吴科俊 ,  陈金元

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述电池包括N型单晶硅片，其正面依次形成有第一本征非晶硅层、N型非晶硅/微晶硅层、第一透明导电膜及第一电极，其背面依次形成有第二本征非晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层、第二透明导电膜及第二电极，其中第一、第二本征非晶硅层均通过包括多个同型子工艺的本征PECVD工艺形成，N型非晶硅/微晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层分别通过各自包括多个同型子工艺的N型以及P型PECVD工艺形成，多个同型子工艺在工艺气体种类相同或工艺气体流量增幅低于预定增幅时不间断依序进行，否则插入过渡工艺。本发明能保持等离子体的稳定性，能提高有效等离子体时间，又能保持工艺界面的连续性。

公开(公告)号：CN113921661A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111114265.0

申请日：2021-09-23

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 马哲国 ,  陈金元

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明提供一种用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述方法首先通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒清洗；然后通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正反面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着通过第一、第二、第三N型PECVD工艺分别在第一本征非晶硅层上依次形成第一、第二以及第三N型非晶微晶混合层；接着通过P型PECVD工艺在第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；然后在第三N型非晶微晶混合层以及P型非晶硅层上分别形成第一以及第二透明导电膜；最后通过丝网印刷工艺在第一以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极。本发明能解决生产节拍过慢、产能较低、低温下非晶硅薄膜品质差的问题，提高电池效率。

公开(公告)号：CN111910167A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010635937.1

申请日：2020-07-03

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 陈金元 ,  朱帆 ,  石湘波

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/54 ,  C23C16/50 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法。该CVD设备包括：第一、第二加载/卸载腔，其相应包括纵向间隔交替设置的第一和第二、第三和第四m层托盘承载件；第一、第二CVD工艺腔，其对应接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、通过第一、第二工艺相应在硅片的第一面、第二面上沉积I/N、I/P型非晶硅薄膜；传输腔，其与第一、第二加载/卸载腔、第一、第二CVD工艺腔可联通地连接且接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、将托盘对应传送至第一、第二CVD工艺腔、将承载有完成第一、第二工艺的硅片的托盘对应传送至第二、第四m层托盘承载件；硅片翻面装置，其接收对来自第二m层托盘承载件上的托盘进行下料所得的硅片并将其进行翻面。

公开(公告)号：CN111893462A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010775283.2

申请日：2020-08-05

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 吴科俊 ,  陈金元 ,  胡宏逵

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供用于CVD设备的方法及相应的CVD设备。所述方法首先将托盘的温度控制成不高于第一预设温度，并将完成制绒清洗的硅片放置到所述托盘中；然后将承载有硅片的托盘传送至CVD设备的CVD反应腔，并在所述CVD反应腔中通过CVD工艺在硅片上形成CVD膜；接着将承载有完成CVD工艺的硅片的托盘传送出CVD反应腔。本发明能有效抑制太阳能电池制造中因托盘温度过高导致的硅片边缘氧化及电池黑边现象，能有效提高电池良率和推动太阳能电池的量产化进程。

公开(公告)号：CN111850518A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010704046.7

申请日：2020-07-21

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 杨华新 ,  马哲国

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供托盘预热腔及对应的PECVD设备。PECVD设备包括：加载模块，其用于将硅片放置在托盘中；托盘转送模块，其用于将由加载模块传送的托盘送至托盘预热腔，并接收已预热的托盘；托盘预热腔，其接收和预热托盘至预设预热温度并将托盘传回至托盘转送模块；加载腔，其配置成接收由托盘转送模块传送的、已预热的托盘；PECVD工艺腔，其接收由加载腔传送的托盘，通过本征和掺杂PECVD工艺在托盘所承载的硅片的一面上沉积形成I/N或I/P型非晶硅薄膜；卸载腔，其接收由PECVD工艺腔传送的托盘；以及卸载模块，其接收由卸载腔传送的托盘并将硅片从托盘中卸载。本发明能有效提高设备产能、预热灵活性和预热效率，并能有效降低设备成本。

公开(公告)号：CN111809167A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010660344.0

申请日：2020-07-10

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 杨华新 ,  马哲国 ,  董家伟 ,  王慧慧 ,  耿茜

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明提供PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法。该PECVD设备包括：外腔；设置在外腔内的内腔上盖；滚轮模块，其设置在外腔内并位于内腔上盖下方，其包括多个滚轮组、驱动多个滚轮组升降以在托盘接送位和托盘封闭位之间移动的第一驱动模块、驱动多个滚轮组转动从而驱动托盘水平移动的第二驱动模块；以及控制模块，其配置成控制第二驱动模块驱动多个滚轮组在托盘接送位接收水平送入外腔的托盘并将其水平传送到位，并在到位后控制第一驱动模块向上驱动多个滚轮组使其进入托盘封闭位而顶推其所支撑的托盘在边缘处与内腔上盖相压靠，从而形成由内腔上盖和托盘构成的、用于进行PECVD成膜工艺的内腔。本发明能提高成膜质量、传送速度，并能降低设备故障率和成本。

公开(公告)号：CN110255544A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910659332.3

申请日：2019-07-22

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 马哲国 ,  陈金元 ,  王慧慧

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  B22D11/01 ,  B22D11/14

Abstract: 本发明提供用于制造石墨烯的设备以及方法。所述方法包括：将固态铜熔化成铜熔液；接收铜熔液并使铜熔液在以幕帘方式向下流动时生成预设厚度和预设宽度的铜箔；在所生成的铜箔具有预设温度的预设位置处向铜箔供应生长石墨烯所需的各种气体，并通过化学气相沉积工艺在铜箔上生长石墨烯，从而形成石墨烯/铜箔叠层；支撑并载送石墨烯/铜箔叠层；以及接收所述石墨烯/铜箔叠层，并将石墨烯/铜箔叠层上的石墨烯转印到柔性衬底上。本发明的设备以及方法可避免在生长石墨烯之前清洗铜箔，并可利用铜熔液带来的高温来生长石墨烯，还可在生产线上同步进行铜箔的生成、石墨烯的生长和转印，从而有效降低制造成本、提高制造效率。

公开(公告)号：CN104157592B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310172714.6

申请日：2013-05-13

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 陈金元 ,  汪训忠 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205

Abstract: 一种增加硅基异质结太阳能电池产能的工艺，该工艺包括如下步骤：提供硅基异质结太阳能电池的生产设备，其包括进片腔和沉积腔，所述沉积腔中设置有对硅片进行热处理的加热器；采用湿法化学清洗方式对所述硅片表面进行清洗和干燥；将所述硅片传输至所述进片腔中,并进行抽真空处理；再将所述硅片从所述进片腔传输至所述沉积腔中,该沉积腔内为真空环境，所述加热器的温度预先设置为高于制备所述硅基薄膜的工艺温度；当所述硅片的表面温度被加热至所述硅基薄膜的工艺温度时，在所述沉积腔中利用化学气相沉积方法制备所述硅基薄膜。本发明能够在保证覆膜质量的同时提高设备产能、节约生产成本。

公开(公告)号：CN106032014A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510110505.8

申请日：2015-03-13

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 ,  理想能源设备(上海)有限公司

Inventor： 李晨睿

IPC: B25J18/00

Abstract: 本发明提供一种机械手臂，用于将基板传送至功能腔室内，所述机械手臂为一体加工的整体，设置于移动台上，所述机械手臂包括：承载部；根部，所述根部下表面中与移动台相互接触的部分为固定接触面，所述根部包括位于根部上侧且沿机械手臂方向截面为正立梯形的根部加强部，所述正立梯形上边的长度范围大于等于所述固定接触面的长度且小于等于所述正立梯形下边的长度，所述根部加强部的厚度大于等于所述承载部厚度的1.5倍且小于等于承载部厚度的2倍。本发明能提高悬臂结构的刚性和稳定性，减少下垂量，实现基板在满足尺寸和质量增加、运动空间减小、传送速度加快等严格传送条件下，仍能保证正常的传送工作。