PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法

    公开(公告)号:CN111809167A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010660344.0

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 本发明提供PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法。该PECVD设备包括:外腔;设置在外腔内的内腔上盖;滚轮模块,其设置在外腔内并位于内腔上盖下方,其包括多个滚轮组、驱动多个滚轮组升降以在托盘接送位和托盘封闭位之间移动的第一驱动模块、驱动多个滚轮组转动从而驱动托盘水平移动的第二驱动模块;以及控制模块,其配置成控制第二驱动模块驱动多个滚轮组在托盘接送位接收水平送入外腔的托盘并将其水平传送到位,并在到位后控制第一驱动模块向上驱动多个滚轮组使其进入托盘封闭位而顶推其所支撑的托盘在边缘处与内腔上盖相压靠,从而形成由内腔上盖和托盘构成的、用于进行PECVD成膜工艺的内腔。本发明能提高成膜质量、传送速度,并能降低设备故障率和成本。

    用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法

    公开(公告)号:CN111430211A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010253379.2

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 本发明提供一种用于等离子体处理设备的射频系统及其调节方法。该方法首先将匹配器的可变电容器的与等离子处理设备的多个工艺相对应的多个初置电容值存储在数据库中;然后将可变电容器初置成数据库中存储的、与用户所选工艺相对应的初置电容值;之后启动射频电源及其自动调频功能以驱使射频电源找到与初置电容值相对应的最佳频率工作点并在此运行;接着检测射频电源输出端的阻抗,根据所检测到的阻抗驱动调节马达将可变电容器从初置电容值调节至最佳电容值,当可变电容器处于最佳电容值时,等离子体处理设备和匹配器的阻抗与射频电源的特征阻抗值相匹配。本发明能保证匹配器和射频系统总是处于反射最小的最佳工作状态,并能改进射频系统稳定性。

    PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法

    公开(公告)号:CN111809167B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202010660344.0

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 本发明提供PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法。该PECVD设备包括:外腔;设置在外腔内的内腔上盖;滚轮模块,其设置在外腔内并位于内腔上盖下方,其包括多个滚轮组、驱动多个滚轮组升降以在托盘接送位和托盘封闭位之间移动的第一驱动模块、驱动多个滚轮组转动从而驱动托盘水平移动的第二驱动模块;以及控制模块,其配置成控制第二驱动模块驱动多个滚轮组在托盘接送位接收水平送入外腔的托盘并将其水平传送到位,并在到位后控制第一驱动模块向上驱动多个滚轮组使其进入托盘封闭位而顶推其所支撑的托盘在边缘处与内腔上盖相压靠,从而形成由内腔上盖和托盘构成的、用于进行PECVD成膜工艺的内腔。本发明能提高成膜质量、传送速度,并能降低设备故障率和成本。

    等离子体处理设备
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216145583U

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202121813877.4

    申请日:2021-08-05

    Abstract: 本实用新型提供一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括射频电源模块,所述射频电源模块包括并联连接的第一射频电源以及第二射频电源,还包括与并联的电源串联连接且用于将其供电叠加后进行馈送的馈电单元,所述第一射频电源的频率为甚高频30MHz‑300MHz,所述第二射频电源的频率低于所述第一射频电源的频率。本实用新型能抑制驻波效应,改善镀膜均匀性。

    层叠式预热腔
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213013088U

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202021596860.3

    申请日:2020-08-05

    Abstract: 本实用新型提供层叠式预热腔。所述层叠式预热腔包括:第一层预热子腔,其包括用于承载第一托盘的第一承载件以及分别设置在第一层预热子腔的顶部和底部的第一组红外加热器和第二组红外加热器;以及第二层预热子腔,其层叠在第一层预热子腔上,且包括用于承载第二托盘的第二承载件以及分别设置在第二层预热子腔的顶部和底部的第三组红外加热器和第四组红外加热器;其中第一组红外加热器和第三组红外加热器的波长为(大于2μm)~3μm,第二组红外加热器和第四组红外加热器的波长为1.2μm~2μm。本实用新型能有效改善预热腔的加热能力,缩短托盘预热时间,降低对硅片表面薄膜的热损伤,提高设备产能。

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