公开(公告)号：CN111910167A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010635937.1

申请日：2020-07-03

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 陈金元 ,  朱帆 ,  石湘波

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/54 ,  C23C16/50 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法。该CVD设备包括：第一、第二加载/卸载腔，其相应包括纵向间隔交替设置的第一和第二、第三和第四m层托盘承载件；第一、第二CVD工艺腔，其对应接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、通过第一、第二工艺相应在硅片的第一面、第二面上沉积I/N、I/P型非晶硅薄膜；传输腔，其与第一、第二加载/卸载腔、第一、第二CVD工艺腔可联通地连接且接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、将托盘对应传送至第一、第二CVD工艺腔、将承载有完成第一、第二工艺的硅片的托盘对应传送至第二、第四m层托盘承载件；硅片翻面装置，其接收对来自第二m层托盘承载件上的托盘进行下料所得的硅片并将其进行翻面。

公开(公告)号：CN111910167B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202010635937.1

申请日：2020-07-03

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 陈金元 ,  朱帆 ,  石湘波

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/54 ,  C23C16/50 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法。该CVD设备包括：第一、第二加载/卸载腔，其相应包括纵向间隔交替设置的第一和第二、第三和第四m层托盘承载件；第一、第二CVD工艺腔，其对应接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、通过第一、第二工艺相应在硅片的第一面、第二面上沉积I/N、I/P型非晶硅薄膜；传输腔，其与第一、第二加载/卸载腔、第一、第二CVD工艺腔可联通地连接且接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、将托盘对应传送至第一、第二CVD工艺腔、将承载有完成第一、第二工艺的硅片的托盘对应传送至第二、第四m层托盘承载件；硅片翻面装置，其接收对来自第二m层托盘承载件上的托盘进行下料所得的硅片并将其进行翻面。

公开(公告)号：CN112366249A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011279321.1

申请日：2020-11-16

Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

Inventor： 马哲国 ,  朱帆 ,  陈金元

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  G06K19/06

Abstract: 本发明提供一种具有追踪功能的太阳能电池制造方法及其所用的追踪系统。所述系统包括第一至第七绑定模块、第一至第五存储模块以及追踪模块。第一绑定模块用于针对放入清洗硅片盒的对应硅片槽的每个硅片生成唯一的虚拟标识码，并将虚拟标识码逐一绑定至由第一转载时间、清洗硅片盒标识码及其对应硅片槽编号组成的第一组合码；其他绑定模块用于将虚拟标识码绑定至相应的其他组合码；各个存储模块用于存储每个硅片的虚拟标识码、对应的工艺及其开始时间、终止时间及设备编码；追踪模块用于根据每个电池片的I‑V测试结果及其对应的虚拟标识码对清洗制绒工艺、第一PECVD、第二PECVD、PVD成膜工艺、丝网印刷工艺及各自对应的设备中至少一个进行追踪。