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    在工件上形成光学膜的方法及其设备
    81.
    发明公开
    在工件上形成光学膜的方法及其设备 有权

    公开(公告)号：CN104233235A

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：CN201310223421.6

    申请日：2013-06-06

    申请人： 惠州欧博莱光电技术有限公司

    发明人： 高忠义

    IPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517

    摘要： 本发明涉及在工件上形成各种功能光学膜的方法及其设备。该方法为脉冲等离子化学气相沉积法，其包括如下步骤：a.将工件固定在密封微波罩中，并对密封微波罩抽真空；b.向密封微波罩中通入氧气，并向密封微波罩中导入脉冲微波，反应一定时间；c.再向密封微波罩中通入含有成膜组分元素的气体，并继续通入氧气以及持续导入脉冲微波，反应一定时间后，即停止向密封微波罩中通入气体并停止导入脉冲微波；本发明脉冲等离子气相化学沉积法具有很高的沉积效率，整个工艺时间只需几分钟，所以生产效率很高；成膜前氧气的等离子体对工件表面进行等离子化清洗和表面活性化处理，使得膜层附着力大大提高，从而提高了产品质量。

    制造涂覆构件的方法
    83.
    发明公开
    制造涂覆构件的方法 失效

    公开(公告)号：CN102260859A

    公开(公告)日：2011-11-30

    申请号：CN201110151656.X

    申请日：2011-05-30

    申请人： 株式会社捷太格特

    发明人： 铃木雅裕 ,  齐藤利幸 ,  山川和芳

    IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/515

    CPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/26 ,  C23C16/503 ,  C23C16/56

    摘要： 利用以下方式进行制造涂覆构件(20)的方法。首先为类金刚石碳膜沉积工艺，其中通过在储存有基材(4)的处理室(3)中对所述基材(4)施加电压产生等离子体、同时抽空所述处理室(3)并且将包含至少碳化合物的原料气引入所述处理室(3)中，在基材(4)的表面上形成类金刚石碳膜(21)。之后为氢化工艺，其中在持续抽空的同时通过停止施加电压并且引入氢气替代所述原料气，利用氢气氢化所沉积的类金刚石碳膜(21)。

    等离子体辅助薄膜沉积系统与方法
    84.
    发明公开
    等离子体辅助薄膜沉积系统与方法 失效

    公开(公告)号：CN101413115A

    公开(公告)日：2009-04-22

    申请号：CN200710181613.X

    申请日：2007-10-19

    申请人： 财团法人工业技术研究院

    发明人： 杜陈忠 ,  黄振荣 ,  梁沐旺 ,  张志振 ,  李升亮 ,  吴庆辉 ,  罗展兴

    IPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/52 ,  C23C16/24

    摘要： 一种等离子体辅助薄膜沉积系统与方法，该系统主要由一等离子体薄膜沉积装置以及一等离子体工艺监控装置构成，该等离子体薄膜沉积装置可供输入脉冲电源与工艺反应气体，由脉冲电源与工艺反应气体作用产生等离子体放电解离工艺反应气体成活性物种，以进行薄膜沉积工艺；该等离子体工艺监控装置包括一等离子体成分光学放射光谱仪以及一脉冲等离子体调变程序装置，由该等离子体成分光学放射光谱仪侦测等离子体成分中活性物种的光谱强度值，再经由脉冲等离子体调变程序装置计算活性物种间的光谱强度比值，据以调变适当的脉冲电源等离子体作用时间及功率，可在微晶硅沉积的范围内获得高沉积速率，并实时掌控最佳薄膜沉积质量。

    气体介质中的微细电火花沉积加工脉冲电源
    85.
    发明公开
    气体介质中的微细电火花沉积加工脉冲电源 失效 许可

    公开(公告)号：CN101016625A

    公开(公告)日：2007-08-15

    申请号：CN200710071874.6

    申请日：2007-03-12

    申请人： 哈尔滨工业大学

    发明人： 王振龙 ,  金柏冬 ,  方宇 ,  彭子龙

    IPC分类号： C23C16/515 ,  B23K9/09 ,  H02M9/02

    摘要： 气体介质中的微细电火花沉积加工脉冲电源，它涉及一种脉冲电源，它为了克服材料不能够充分熔融而造成加工不稳定的问题。它的第一直流电源的正极连接第一开关电路和第二开关电路的输入端，第二直流电源的正极连接第三开关电路的输入端，第三开关电路、第一开关电路和第二开关电路的输出端连接电火花加工平台的工具电极的输入端和控制电路的一个输入端，第一直流电源的负极和第二直流电源的负极连接电火花加工平台的工作台和控制电路的另一个输入端，控制电路的输出端分别连接第一开关电路的控制端、第二开关电路的控制端和第三开关电路的控制端。它降低沉积表面的裂纹、孔洞等缺陷，提高材料的表面质量，获得均匀致密的沉积结构，提高沉积加工的效率。

    使用等离子体形成介电材料层的方法
    87.
    发明公开
    使用等离子体形成介电材料层的方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118486581A

    公开(公告)日：2024-08-13

    申请号：CN202410177943.5

    申请日：2024-02-09

    申请人： ASM IP私人控股有限公司

    发明人： 须佐圭雄 ,  石钵德彦 ,  菊地良幸

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/515 ,  C23C16/509 ,  C23C16/455

    摘要： 提供了一种在衬底表面上形成介电材料层的方法。该方法可包括以下步骤：在沉积温度下的沉积步骤，包括：在第一反应室内提供衬底；向第一反应室提供前体；向第一反应室提供反应物；以及向第一反应室提供脉冲等离子体功率；和固化步骤，包括：向衬底提供固化气体；在第一固化温度下提供第一固化步骤；以及在第二固化温度下提供第二固化步骤，其中第二固化温度高于第一固化温度。

    一种飞机起落架内孔耐磨自润滑涂层的制备方法
    88.
    发明公开
    一种飞机起落架内孔耐磨自润滑涂层的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118407020A

    公开(公告)日：2024-07-30

    申请号：CN202410874730.8

    申请日：2024-07-02

    申请人： 成都中云世纪科技有限责任公司

    发明人： 郑玉 ,  周圣杰 ,  杨胜杰

    IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/515 ,  C23C8/38 ,  C23C8/02 ,  C23C8/04 ,  C23C16/04

    摘要： 本发明公开了一种飞机起落架内孔耐磨自润滑涂层的制备方法，其步骤包括：将起落架内表面打磨、抛光至粗糙度到预设标准后除油清洗；将起落架放置在真空设备内，起落架接电源负极，真空室接电源正极，抽真空至5.0×10‑3Pa以下；通入氩气对起落架内表面进行氩等离子清洗；氩等离子清洗完成后，逐步通入氮气和氢气的混合气体或者氨气对起落架内表面氮化处理；逐步通入含碳气源，调节偏压和各气体气流量进行碳氮共渗处理以及非晶碳膜沉积；逐步减小直至关闭含氮气源流量，维持内孔空心阴极放电进行碳膜沉积，镀膜完成后出炉，其可以一步实现内表面镀膜，用渗入和沉积相结合的方法，大幅度提高膜层的结合力，沉积温度低，不会影响起落架强度。

    一种防水膜层及其制备方法
    89.
    发明公开
    一种防水膜层及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118240257A

    公开(公告)日：2024-06-25

    申请号：CN202211660447.2

    申请日：2022-12-22

    申请人： 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司

    发明人： 宗坚 ,  肖鑫 ,  康必显

    IPC分类号： C08J7/18 ,  C08F220/30 ,  C08F222/20 ,  C23C16/515 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511

    摘要： 本公开的具体实施方式提供一种防水膜层及其制备方法，所述防水膜层是由基材接触单体α和单体β的等离子体形成的等离子体聚合膜层，单体α包括丙烯酸酯基或取代丙烯酸酯基的结构单元、以及芳香环或脂环结构单元，单体β包括至少三个丙烯酸酯基或取代丙烯酸酯基的结构单元，所述防水膜层成膜速度快，且无交联凝胶或膜层堆积等现象产生，从而提高了所述防水膜层的镀膜效率。