公开(公告)号：CN101198719B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680021460.6

申请日：2006-06-01

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 池田昭彦 ,  大久保大五郎 ,  川上哲哉 ,  中村隆 ,  笹原正光 ,  长浜大辅

IPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/24 ,  G03G5/08

CPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/503 ,  G03G5/08214 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/08285 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3444

摘要： 本发明提供一种感光体的制造方法及能够实现该方法的装置，该感光体的制造方法包括将基体(10)收容在反应室(4)的第一步骤、向反应室(4)供给反应性气体的第二步骤、对在反应室(4)中间隔开配置的第一导体(3)和第二导体(40)之间施加脉冲状直流电压的第三步骤。优选是在第三步骤中，将第一导体(3)和第二导体(40)之间的电位差设定在50V以上3000V的范围，对第一及第二导体(3、40)施加的脉冲状直流电压的脉冲频率设定为300kHz以下。脉冲状直流电压的脉冲的占空比例如设定为20％以上90％以下。

公开(公告)号：CN101185036B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680018642.8

申请日：2006-05-26

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 池田昭彦 ,  大久保大五郎 ,  川上哲哉 ,  中村隆 ,  笹原正光 ,  长浜大辅 ,  深谷知巳

IPC分类号： G03G5/08

CPC分类号： G03G5/08221 ,  G03G5/0433 ,  G03G5/08 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08278 ,  G03G5/102 ,  G03G5/14704

摘要： 本发明公开一种电子照相感光体(2)，其中具备：导电性基体(20)；光导电层(22)，其形成在所述导电性基体(20)上并包含非晶硅；表面层(23)，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层(22)，其表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。表面层(23)的例如非研磨时的表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。

公开(公告)号：CN101198719A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021460.6

申请日：2006-06-01

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 池田昭彦 ,  大久保大五郎 ,  川上哲哉 ,  中村隆 ,  笹原正光 ,  长浜大辅

IPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/24 ,  G03G5/08

CPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/503 ,  G03G5/08214 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/08285 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3444

摘要： 本发明供一种沉积膜形成方法及能够实现该方法的装置，该沉积膜形成方法包括将沉积膜形成对象物(10)收容在反应室(4)的第一步骤、向反应室(4)供给反应性气体的第二步骤、对在反应室(4)中间隔开配置的第一导体(3)和第二导体(40)之间施加脉冲状直流电压的第三步骤。优选是在第三步骤中，将第一导体(3)和第二导体(40)之间的电位差设定在50V以上3000V的范围，对第一及第二导体(3、40)施加的脉冲状直流电压的脉冲频率设定为300kHz以下。脉冲状直流电压的脉冲的占空比例如设定为20％以上90％以下。

公开(公告)号：CN101185036A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018642.8

申请日：2006-05-26

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 池田昭彦 ,  大久保大五郎 ,  川上哲哉 ,  中村隆 ,  笹原正光 ,  长浜大辅 ,  深谷知巳

IPC分类号： G03G5/08

CPC分类号： G03G5/08221 ,  G03G5/0433 ,  G03G5/08 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08278 ,  G03G5/102 ,  G03G5/14704

摘要： 本发明公开一种电子照相感光体(2)，其中具备：导电性基体(20)；光导电层(22)，其形成在所述导电性基体(20)上并包含非晶硅；表面层(23)，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层(22)，其表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。表面层(23)的例如非研磨时的表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。

公开(公告)号：CN101198719B8

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200680021460.6

申请日：2006-06-01

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 池田昭彦 ,  大久保大五郎 ,  川上哲哉 ,  中村隆 ,  笹原正光 ,  长浜大辅 ,  深谷知已

IPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/24 ,  G03G5/08

摘要： 本发明供一种感光体的制造方法及能够实现该方法的装置，该感光体的制造方法包括将基体(10)收容在反应室(4)的第一步骤、向反应室(4)供给反应性气体的第二步骤、对在反应室(4)中间隔开配置的第一导体(3)和第二导体(40)之间施加脉冲状直流电压的第三步骤。优选是在第三步骤中，将第一导体(3)和第二导体(40)之间的电位差设定在50V以上3000V的范围，对第一及第二导体(3、40)施加的脉冲状直流电压的脉冲频率设定为300kHz以下。脉冲状直流电压的脉冲的占空比例如设定为20％以上90％以下。