公开(公告)号：CN101185036A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018642.8

申请日：2006-05-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 池田昭彦 ,  大久保大五郎 ,  川上哲哉 ,  中村隆 ,  笹原正光 ,  长浜大辅 ,  深谷知巳

IPC: G03G5/08

CPC classification number: G03G5/08221 ,  G03G5/0433 ,  G03G5/08 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08278 ,  G03G5/102 ,  G03G5/14704

Abstract: 本发明公开一种电子照相感光体(2)，其中具备：导电性基体(20)；光导电层(22)，其形成在所述导电性基体(20)上并包含非晶硅；表面层(23)，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层(22)，其表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。表面层(23)的例如非研磨时的表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。

公开(公告)号：CN101185036B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680018642.8

申请日：2006-05-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 池田昭彦 ,  大久保大五郎 ,  川上哲哉 ,  中村隆 ,  笹原正光 ,  长浜大辅 ,  深谷知巳

IPC: G03G5/08

CPC classification number: G03G5/08221 ,  G03G5/0433 ,  G03G5/08 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08278 ,  G03G5/102 ,  G03G5/14704

Abstract: 本发明公开一种电子照相感光体(2)，其中具备：导电性基体(20)；光导电层(22)，其形成在所述导电性基体(20)上并包含非晶硅；表面层(23)，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层(22)，其表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。表面层(23)的例如非研磨时的表面粗糙度按照10μm×10μm范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。