发明公开
- 专利标题： 使用等离子体形成介电材料层的方法
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申请号： CN202410177943.5申请日： 2024-02-09
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公开(公告)号： CN118486581A公开(公告)日： 2024-08-13
- 发明人: 须佐圭雄 , 石钵德彦 , 菊地良幸
- 申请人： ASM IP私人控股有限公司
- 申请人地址： 荷兰阿尔梅勒
- 专利权人： ASM IP私人控股有限公司
- 当前专利权人： ASM IP私人控股有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰阿尔梅勒
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 焦玉恒
- 优先权： 63/445,100 20230213 US
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C23C16/515 ; C23C16/509 ; C23C16/455
摘要：
提供了一种在衬底表面上形成介电材料层的方法。该方法可包括以下步骤：在沉积温度下的沉积步骤，包括：在第一反应室内提供衬底；向第一反应室提供前体；向第一反应室提供反应物；以及向第一反应室提供脉冲等离子体功率；和固化步骤，包括：向衬底提供固化气体；在第一固化温度下提供第一固化步骤；以及在第二固化温度下提供第二固化步骤，其中第二固化温度高于第一固化温度。
IPC分类:
