公开(公告)号：CN113699502A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110555371.6

申请日：2021-05-21

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  美山辽 ,  菊地良幸

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52

摘要： 公开了用于形成包括多个碳层的结构的方法和系统，以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括形成第一碳层和第二碳层，其中第一碳层的密度和/或其它性能不同于第二碳层相应的性能。

公开(公告)号：CN118629938A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410257261.5

申请日：2024-03-07

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  石钵德彦 ,  菊地良幸

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/515 ,  C23C16/48

摘要： 提供了一种在衬底表面上形成介电材料层的方法。该方法可包括以下步骤：沉积步骤，包括：在第一反应室内提供衬底；向第一反应室提供乙烯基取代的环硅氧烷前体；向第一反应室提供反应物；以及向第一反应室提供脉冲等离子体功率；和固化步骤，包括：向衬底提供固化气体；以及用UV光照射衬底。

公开(公告)号：CN115637424A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210835492.0

申请日：2022-07-15

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/34

摘要： 公开了用于形成包括碳化硅层的结构的方法和系统以及使用该方法和系统形成的结构。示例性方法包括向反应室提供碳化硅前体，在反应室内形成等离子体以在衬底表面上形成初始可流动的粘性碳化硅材料，其中初始粘性碳材料变成碳化硅层。示例性方法可以包括使用包含碳‑碳三键的碳化硅前体和/或使用相对低的等离子体功率密度(例如小于3W/cm2)。

公开(公告)号：CN116065136A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211325383.0

申请日：2022-10-27

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  相田高永 ,  美山辽 ,  菊地良幸

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

摘要： 公开了用于蚀刻衬底周边的方法和设备。示例性方法和设备可用于在同一反应室内沉积材料和选择性蚀刻衬底周边的材料。

公开(公告)号：CN116024542A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211317389.3

申请日：2022-10-26

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  菊地良幸

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/50

摘要： 一种蚀刻衬底斜面边缘的方法。该方法包括在薄膜已经沉积在衬底的顶表面上之后，提供具有斜面边缘的衬底，并围绕其中心轴线旋转衬底。该方法还包括，在旋转过程中，通过将大气等离子体流引导到斜面边缘上来蚀刻斜面边缘。该大气等离子体流平行于衬底的顶表面，比如正交于包含被大气等离子体蚀刻的斜面边缘区域的平面，该大气等离子体可以是O2大气等离子体。在与衬底外径间隔开的半径处，执行蚀刻而不损失顶表面上的薄膜厚度。衬底可以是硅(Si)晶片，薄膜可以是碳膜、无定形碳、SiC、SiO或SiN。

公开(公告)号：CN118486581A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410177943.5

申请日：2024-02-09

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  石钵德彦 ,  菊地良幸

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/515 ,  C23C16/509 ,  C23C16/455

摘要： 提供了一种在衬底表面上形成介电材料层的方法。该方法可包括以下步骤：在沉积温度下的沉积步骤，包括：在第一反应室内提供衬底；向第一反应室提供前体；向第一反应室提供反应物；以及向第一反应室提供脉冲等离子体功率；和固化步骤，包括：向衬底提供固化气体；在第一固化温度下提供第一固化步骤；以及在第二固化温度下提供第二固化步骤，其中第二固化温度高于第一固化温度。

公开(公告)号：CN115216769A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210386324.8

申请日：2022-04-13

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 美山辽 ,  须佐圭雄 ,  菊地良幸 ,  杉浦博次

IPC分类号： C23C26/00 ,  H01L21/02 ,  B05D1/00

摘要： 公开了用于形成包括多个碳层的结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括形成具有初始第一流动性的第一碳层和具有初始第二流动性的第二碳层，其中第一流动性小于第二流动性。

公开(公告)号：CN114864478A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210110561.1

申请日：2022-01-29

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  杉浦博次 ,  菊地良幸

IPC分类号： H01L21/762 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L21/764

摘要： 公开了用于形成结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括在衬底的表面上沉积材料，并处理沉积的材料以形成处理的材料。这些方法可用于填充衬底表面上的凹部。

公开(公告)号：CN114606481A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111477223.3

申请日：2021-12-06

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 须佐圭雄 ,  梅原直己 ,  黄祐敏

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02

摘要： 公开了用于形成包括硅碳材料的结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括向反应空间提供第一气体，向反应空间提供硅碳前体，停止硅碳前体向反应空间的流动，在反应空间内形成第一等离子体，从而在衬底表面上沉积硅碳材料，以及可选地用活性物种处理硅碳材料以形成处理过的硅碳材料。