公开(公告)号：CN111007695A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910950704.8

申请日：2019-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/004

Abstract: 本申请公开了光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种光致抗蚀剂成分包括：共轭抗蚀添加剂；光活性化合物；以及聚合物树脂。所述共轭抗蚀添加剂是选自由以下项构成的组中的一项或多项：聚乙炔、聚噻吩、聚苯撑乙烯、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺。所述聚乙炔、聚噻吩、聚苯乙烯基、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺包括取代基，所述取代基选自由以下项构成的组中：烷基、醚基、酯基、烯基、芳族基、蒽基、醇基、胺基、羧酸基和酰胺基。另一光致抗蚀剂成分包括具有共轭部分的聚合物树脂和光活性化合物。所述共轭部分是选自由以下项构成的组的一项或多项：聚乙炔、聚噻吩、聚苯撑乙烯、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺。

公开(公告)号：CN105929634B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201610081815.6

申请日：2016-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  王建惟 ,  陈学安

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供了一种改进的抗蚀剂材料和一种图案化工件(诸如集成电路工件)的方法，该方法提高了对环境污染物的抵抗力。在一个示例性实施例中，该方法包括接收工件和对该工件施加含有保护剂的抗蚀剂材料，所述保护剂分布在整个抗蚀剂材料中。对工件执行热工艺，以使保护剂在抗蚀剂材料的上部区域集中。将抗蚀剂材料在光刻工艺中曝光并且使曝光的抗蚀剂材料显影以在抗蚀剂材料内限定图案。在这样的一些实施例中，保护剂被选择为减小环境污染的影响而不影响所述抗蚀剂材料的酸/碱比率。在一些实施例中，保护剂包括疏水性官能团。

公开(公告)号：CN110609442A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810989869.1

申请日：2018-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 在晶圆上方形成光刻胶层。光刻胶层包括金属光刻胶材料和一种或多种添加剂。使用光刻胶层实施极紫外(EUV)光刻工艺。一种或多种添加剂包括：沸点高于约150摄氏度的溶剂、光酸产生剂、光碱产生剂、猝灭剂、光分解碱、热酸产生剂或光敏交联剂。本发明的实施例还涉及通过添加剂的EUV金属光刻胶性能增强。

公开(公告)号：CN110609441A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910193694.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  林进祥 ,  张庆裕

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/26

Abstract: 一种形成光阻图案的方法，包括于形成于基板上的光阻之上形成保护层，以及选择性地将保护层和光阻层暴露于光化辐射。显影保护层和光阻层以形成图案于光阻层中，并去除保护层。保护层包括具有侧链碳氟化合物基团和侧链酸离去基团的聚合物。

公开(公告)号：CN106483776B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201610088332.9

申请日：2016-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕

IPC: G03F7/32

Abstract: 光刻图案化的方法，所述方法包括在衬底上方形成材料层；将材料层的部分暴露于辐射；以及在显影剂中去除所述材料层的暴露部分，产生图案化的材料层。显影剂包括有机溶剂和碱性溶质，其中，以重量计，所述有机溶剂多于所述显影剂的50％。在一个实施例中，所述显影剂还包括以重量计，小于50％的所述显影剂的水。本发明实施例涉及用于光刻的新显影剂。

公开(公告)号：CN110554568A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910189674.3

申请日：2019-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张雅晴 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  陈彦豪

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一光刻胶层于一基板之上，其中所述光刻胶层包括与一光酸产生剂混合的一聚合物，所述光酸产生剂与一或多个极性增强基团键结，所述极性增强基团被配置以增加光酸产生剂的一偶极矩；将所述光刻胶层曝光在一辐射光源下；以及显影所述光刻胶层，产生图案化光刻胶层。曝光可将光酸产生剂分离成阳离子和阴离子，使得与阳离子键结的一极性增强基团增加阳离子的极性，且与阴离子键结的一极性增强基团增加阴离子的极性。

公开(公告)号：CN110416068A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910280107.9

申请日：2019-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 一种半导体装置的形成方法包含在基底之上旋转涂布第一无金属层；在第一无金属层之上沉积含金属层；在含金属层之上旋转涂布第二无金属层；在第二无金属层之上形成光刻胶层，光刻胶层包含第一金属元素；将光刻胶层曝光；以及接着显影光刻胶层以形成一个图案。含金属层包含选自锆、锡、镧、或锰的第二金属元素，及选自锆、锡、铯、钡、镧、铟、银、或铈的第一金属元素。

公开(公告)号：CN106406034B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510859540.X

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供半导体装置的制造方法及光致抗蚀剂，此方法包含形成光致抗蚀剂材料在基底上，光致抗蚀剂材料具有聚合物其包含具有链段和联结基的主链，链段包含碳链和紫外线可硬化基，紫外线可硬化基耦接至碳链和联结基；实施第一曝光工艺其经由将联结基从每个链段的连接的紫外线可硬化基去耦接来打断聚合物主链；实施第二曝光工艺以形成图案化的光致抗蚀剂层；以及显影图案化的光致抗蚀剂层。本发明的半导体装置的制造方法和光致抗蚀剂可提供更准确的图案化、更清楚的图案解析度、更低的重加工或废料率及/或其他的益处。

公开(公告)号：CN106024592B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201510856712.8

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明是关于硅基中层组合物及相关方法。根据本发明一实施例，一制造半导体元件的方法包含：于衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含具有烷基的硅基组件；于所述第一材料层上直接形成光阻层；以及将所述光阻层暴露于辐射源之下。

公开(公告)号：CN109841502A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811251209.X

申请日：2018-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简玉琳 ,  陈建志 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括形成一底层(underlying)结构；形成一表面接枝层于底层结构上；以及形成一光刻胶层于表面接枝层上。其中，表面接枝层包括一涂布材料，包括：一主链聚合物；一表面接枝单元，与主链聚合物的一端耦合；以及一黏着单元，不同于表面接枝单元且耦合至主链聚合物作为一侧链。