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公开(公告)号：CN116111030A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310266498.5
申请日：2023-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/42 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L25/075 , H01L27/15 , G09F9/33
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED显示装置及其制作方法，其中Micro‑LED显示装置包括：驱动电路单元，设置在驱动电路单元上的若干像素单元，每个像素单元均包括：发光单元，发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构，三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构，通过荧光粉激发获得白光，经过红、绿、蓝三基色滤光片后，结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧，可增加出光面的发光面积，且第四电极通过分割道与透明导电层连接，可明显增大电流扩展和增强电导热能力，进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN113328019B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110563851.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法，通过设置：具有若干个凸台的图形化衬底以及形成于所述图形化衬底表面的保护层；相邻的所述凸台之间具有间隙，且所述保护层填充所述间隙并覆盖各所述凸台的顶面；所述保护层用于保护所述生长衬底的图形在外延生长前不被破坏。进一步地，所述凸台的垂直高度大于所述凸台的底面宽度，使所述外延生长衬底形成大高宽比的图形，实现大出光角度；并通过小底宽设计实现高密度的图形进而提高发光效率。同时，通过设置保护层，有利于实现图形化衬底的可靠性及稳定性，减少大高宽比的图形在外延生长前被外力破坏。
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公开(公告)号：CN113130717B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110397862.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可实现光均匀分布的mini‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底表面依次堆叠外延叠层、非掺杂层及第二型半导体薄层；同时，在所述第二型半导体薄层的表面设有透明导电层，且所述透明导电层通过沟槽嵌入的方式与所述第二型半导体层形成接触，且所述绝缘层附着于所述通孔侧壁并延伸至所述透明导电层的部分表面。使得当电流从电极注入后，通过所述凹槽均匀扩展至所述第二型半导体层，从而缩小所述透明导电层的中心与边缘所存在的电势差，使得电流能很均匀地分布，避免mini‑LED出现电流拥挤的现象。
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公开(公告)号：CN113130717A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110397862.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可实现光均匀分布的mini‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底表面依次堆叠外延叠层、非掺杂层及第二型半导体薄层；同时，在所述第二型半导体薄层的表面设有透明导电层，且所述透明导电层通过沟槽嵌入的方式与所述第二型半导体层形成接触，且所述绝缘层附着于所述通孔侧壁并延伸至所述透明导电层的部分表面。使得当电流从电极注入后，通过所述凹槽均匀扩展至所述第二型半导体层，从而缩小所述透明导电层的中心与边缘所存在的电势差，使得电流能很均匀地分布，避免mini‑LED出现电流拥挤的现象。
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公开(公告)号：CN112635626A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110001937.0
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112201650A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011094769.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法，通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜，其中，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层；所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；同时，第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接；第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计，避免电极挡光，使LED芯片的发光面积增大；同时，通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极，有利于电极打线时的精准对位控制。
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公开(公告)号：CN104393138B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410551477.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本发明可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104332542B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410551495.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的外延结构制作方法，包括以下步骤：一、在外延衬底表面由下自上依次形成缓冲层、衬底保护层、外延剥离层、外延保护层及外延发光结构；二、对外延剥离层进行氧化，形成氧化剥离层；三、在外延发光结构的第二型电流扩展层上蒸镀金属反射层；将金属反射层与基板键合；四、采用强碱腐蚀氧化剥离层，使用带旋转功能的腐蚀装置腐蚀氧化剥离层，直至外延发光结构与外延衬底剥离，得到可重复利用的外延衬底。本发明可以解决剥离二极管而导致外延层破损问题，且可重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN104167474B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410391579.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本发明解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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公开(公告)号：CN103715326B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自上而下依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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