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公开(公告)号：CN108198891B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201810003282.9
申请日：2018-01-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池，同时提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN107910419B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711103855.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，通过所述发光二极管制备方法制备的发光二极管通过在衬底上设置的台阶，使得相邻台阶上形成的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层可以至少部分接触，从而可以通过后续形成的透明导电层实现相邻台阶上的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层的电连接，通过上述方式实现的至少两个外延结构的自串联可以无需通过搭建桥接电极的方式实现，避免了桥接电极可能会出现的断裂风险，并且简化了具有多个外延结构串联的发光二极管的制备难度。
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公开(公告)号：CN107331742B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710596447.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱结构；再次外延生长多量子阱层和电子阻挡层、第二型导电层。采用纳米柱结构替代传统的V‑pits结构，由于纳米柱结构晶体质量好，且能够将第一型导电层和第二型导电层隔离，从而解决V‑pits容易引起漏电而导致器件失效的问题。
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公开(公告)号：CN106816509B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710224742.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN108565320A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810029288.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的外延结构的第一型导电层包括至少两个子导电层，并且每两个子导电层之间还设置有电流阻挡层，这些子导电层和电流阻挡层堆叠设置，使得子导电层之间具有一定的高度差；另外，所述发光二极管的第一电极包括种类与子导电层相匹配的第一型扩展电极，每类第一型扩展电极通过沟槽实现与一个子导电层的电连接，而由于子导电层之间具有一定的高度差及电阻差，且存在着一定的电流阻挡效果，有效引导流出第一型扩展电极的电流更大范围的横向扩展，有利于引导电流在第一型扩展电极与相邻的第二型扩展电极之间的合理分布，从而降低发光二极管的电流拥挤，从而提升发光二极管发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108269757A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810083428.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置，被动式驱动阵列LED显示面板，包括：阵列基板，阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线，第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素；每个子像素包括：衬底；位于衬底上的LED外延结构，第一型半导体层与第一型传输线电性连接；第二型半导体层与第二型传输线电性连接。本发明中将每颗独立的LED子像素通过第一型传输线和第二型传输线集成起来，形成被动驱动显示屏，独立的LED子像素尺寸不限为微米级、亚微米级，从而使得LED屏幕能够应用于高分辨率要求的电子产品中。
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公开(公告)号：CN105514241B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610018937.0
申请日：2016-01-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种具有高可靠性透明导电层的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明通过外延生长，设置一层具有和ITO透明导电层相同的电能和光学性能的高导电外延层，直接通过此高导电外延层形成有效的电流扩展。极大地提高P型电流扩展效果，减小发光二极管的串联电阻，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。由于高导电外延层是直接通过形成，减少芯片工序，有效降低芯片成本。
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公开(公告)号：CN108133984A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810088067.3
申请日：2018-01-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种垂直结构发光二极管及其制作方法，所述制作方法包括：提供蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上直接形成LED外延结构，再通过在衬底背离LED外延结构的表面采用楔形刀切割形成楔形槽，使得第一电极能够直接形成在蓝宝石衬底上，并通过楔形槽与欧姆接触层电性连接，一方面，无需通过键合工艺实现在蓝宝石衬底上形成LED外延结构，降低了工艺复杂度，节省了LED制作成本；另一方面，由于在蓝宝石衬底上生长LED外延结构的晶体质量较高，能够保证LED的量子效率，使得LED具有较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106025019B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610425763.X
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构，衬底上由下至上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、复合调节层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层；复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN106206865B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610557039.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高压发光二极管，衬底上设置非故意掺杂层，非故意掺杂层上设置第一外延结构的n型接触层，第一外延结构的n型接触层分别设置隧穿结和第一外延结构的有源层，第一外延结构的有源层上由下至上依次设置p型接触层、p型欧姆接触层和p型电极；隧穿结上由下至上依次设置第二外延结构的p型接触层、有源层、n型接触层、n型欧姆接触层和n型电极；第一外延结构与第二外延结构之间设置绝缘层；第一外延结构的p型欧姆接触层的高度与第二外延结构的n型欧姆接触层高度相同，位于同一水平面内。本发明还公开高压发光二极管的制作方法。本发明解决高压发光二极管电极桥接提高发光功率时，电极桥接存在高度差造成工艺难度大及成品率低的问题。
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