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公开(公告)号：CN116626920A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310899405.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及偏振调制器技术领域，具体涉及一种与发光二极管集成的超表面偏振调制器。底部集成有发光二极管外延片，偏振调制器由超表面结构组成，超表面结构由单元晶胞周期性排列而成，单元晶胞包括第一金属微纳结构层、第二金属微纳结构层和电介质隔离层，每个单元晶胞的第一金属微纳结构层均包括沿单元晶胞长度方向排列的一段或多段第一矩形金属块，第二金属微纳结构层均包括沿特定方向排列的多段第二矩形金属块，第一矩形金属块与沿特定方向排列的第二矩形金属块之间具有相对夹角。其具有较好的透过率和消光比，且具有更高的偏振转换度和较低的能量损耗。
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公开(公告)号：CN114717657B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210272003.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了基于等离子体辅助激光分子束外延生长氧化镍单晶薄膜的方法。首先对氧化物衬底进行预处理；再使用氧气等离子体辅助的激光分子束外延，常温下在氧化物衬底上异质外延氧化镍，获得单晶氧化镍。本发明结合衬底预处理和氧气等离子体辅助沉积，通过激光分子束外延，对生长条件进行了优化，在常温下获得了NiO单晶，提高了晶体质量，降低了表面粗糙度，使得器件性能的提升更为可观。得益于对衬底的有效预处理，衬底表面形成了宏观台阶流结构，从而有利于NiO单晶的形成；此外，氧气等离子体的辅助，活化了氧原子，在常温下异质外延单晶NiO。这种天然的p型材料在氧化镓衬底上的高质量异质外延，拓宽了氧化镓基高功率器件的实现途径。
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公开(公告)号：CN116072706A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310052068.3
申请日：2023-02-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了氧化镓异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括p型半导体衬底、绝缘阻隔层、n型氧化镓沟道层、导电电极层、高介电常数氧化物栅介质层，所述p型半导体衬底上方设置绝缘阻隔层，所述阻隔层之间以及上方设置所述n型氧化镓沟道层，所述n型氧化镓沟道层上设置所述高介电常数氧化物介质层，在所述绝缘阻隔层一侧、n型氧化镓沟道层及高介电常数氧化物介质层上方设置所述导电电极层。采用薄层高介电常数氧化物作为栅介质，易于从氧化物半导体结处的p型载流子的外部源吸引空穴，发生带间隧穿，突破传统MOSFET器件的玻尔兹曼限制，使得亚阈值摆幅降低至60mV/decade以下。本发明在高速度和低功耗逻辑开关电路中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN115373160A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111169488.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料结构的偏振光调制器及其制备方法。该偏振调制器包括超材料结构、ITO导电层、P型电极层、N型电极层和发光器件，其中，ITO导电层设于发光器件的表面，超材料结构和P型电极层位于ITO导电层上；超材料结构包括两个金属微纳结构层以及电介质隔离层，电介质隔离层位于两个金属微纳结构层之间。本发明基于偏振非对称转换的思路，使某一种线偏振光的能量全部或部分转换为与之正交的线偏振光，可突破传统50％能量损失的瓶颈。此外，本发明的制备方法基于材料生长和集成电路工艺，具有器件制备简单、便于集成、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114628495A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210157686.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于P型帽层低膝点电压的增强型AlGaN/GaN HEMT器件及方法。其器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN中间层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设有电子气恢复层，电子气恢复层上刻蚀或者腐蚀出源极区域、漏极区域以及栅极区域，栅极区域位于源极区域和漏极区域之间，其中，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅区P型帽层和栅电极，栅电极位于栅区P型帽层上方。本发明在AlGaN势垒层上沉积兼容剥离工艺无刻蚀损伤的P型帽层，使栅区P型帽层和栅电极同步成型，并且在耗尽沟道电子实现增强型工作的同时，改变沟道的电场分布，促进器件膝点电压的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807586B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810399948.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN105908256B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610192710.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石或石英等透明衬底上低温制备不同Cd/Zn组分配比的ZnCdO合金单晶薄膜。薄膜的禁带宽度覆盖绝大部分太阳光谱，非常适合用于可见光催化分解水。本发明制备方法适合大规模产业化，制备的ZnCdO薄膜在高效光催化水分解和光伏电池等领域有应用前景。
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公开(公告)号：CN108807586A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810399948.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN107887452A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710933791.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02161 , H01L31/0264 , H01L31/1892 , H01L31/1896
Abstract: 一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法，ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜，采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法，解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配；低温缓冲层厚度约为200-400nm，高温外延层厚度约为2-5μm；然后采用激光剥离的方法将制备的ZnO基外延层与蓝宝石衬底的分离：激光剥离外延层时，调节激光光束聚焦于样品，从蓝宝石一侧照射样品，蓝宝石对该入射激光透明，而ZnO对该激光有强烈吸收。本发明提出的获得ZnO基自支撑薄膜的剥离工艺简单，成本低，易于制备，有利于改善ZnO基光电子器件性能和制备柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN106129204A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
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