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公开(公告)号：CN104878451A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN103526282A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310498099.8
申请日：2013-10-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种快速制备低位错密度氮化物单晶体材料的液相外延装置与方法，其通过设计包括预生长区和生长区的反应釜，反应釜的预生长区具有原材料条件控制特征和功能，生长区具有生长动力学条件控制特征和功能，预生长区和生长区由过渡腔室或者保温管道相连接。在氮化物单晶体材料的生长过程中，原材料先在预生长区加热加压溶解，当熔融体中N的溶解浓度达到过饱和时与籽晶接触，从而有效抑制在N浓度未达到生长阈值时籽晶表面发生的多晶生长，提高氮化物单晶体材料的质量。同时，通过调控熔体在籽晶上表面的液面高度差，使熔体中的N/Ga在籽晶表面优先成核生长，从而抑制气液界面的多晶形成，提高晶体生长速度与原材料的利用率。
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公开(公告)号：CN113571505B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110790367.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L25/075 , G02B30/52 , H01L33/00 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种立体显示装置及加工方法、立体显示屏，应用于电子显示技术领域。本发明提供的立体显示装置包括发光显示模块和控制电路模块，所述发光显示模块与所述控制电路模块电连接，其特征在于，所述发光显示装置包括多层发光层，每层所述发光层经过压制贴合构成所述发光显示装置；所述发光显示模块与所述控制电路模块通过柔性电路模块进行电连接；所述控制电路模块通过控制电路控制所述发光显示装置的工作状态。本发明提供的立体显示装置用以提高立体显示装置的成像效果。
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公开(公告)号：CN114318307B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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公开(公告)号：CN109440189B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201811615323.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本发明增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112531015B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011387036.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
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公开(公告)号：CN114737250A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210410043.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
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公开(公告)号：CN114582711A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210204788.2
申请日：2022-03-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
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公开(公告)号：CN114318521A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633010.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石生长方法，所述生长方法包括如下步骤：S1、选取金刚石籽晶，S2、选取陪料，S3、金刚石籽晶转移，S4、抽真空，S5、金刚石生长，S6、取出金刚石成品。本申请中陪料包围金刚石籽晶，金刚石籽晶有一部分露出陪料，陪料的导热率比金刚石低，陪料的存在能减少金刚石生长面与非生长面之间的温差，避免金刚石在生长过程中由于局部温差过大而产生应力或生长出多晶，陪料与金刚石籽晶一起保持振动或转动，可以使得金刚石籽晶的不同表面都有机会接触包含碳源的等离子体，便于金刚石籽晶在三维方向连续生长。
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公开(公告)号：CN113981444A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111211331.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤指一种薄层器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在衬底上利用PVD方法制备一层氮化铝薄膜；在衬底的氮化铝薄膜上利用MOCVD方法生长出器件功能层，即获得薄层器件，该薄层器件包括衬底及依次设置在衬底上的氮化铝薄膜及器件功能层。本发明采用技术方法不需要传统器件材料的缓冲层及掺杂层，直接通过氮化铝薄膜把器件功能层与衬底结合在一起，实现低成本、低应力、高均匀性的薄层器件材料。
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