公开(公告)号：CN114582711A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210204788.2

申请日：2022-03-02

申请人： 北京大学东莞光电研究院

发明人： 贾传宇 ,  张国义 ,  孙永健 ,  陆羽

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。

公开(公告)号：CN104319631B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201410504147.4

申请日：2014-09-28

申请人： 北京大学东莞光电研究院 ,  东莞市中镓半导体科技有限公司

发明人： 贾传宇 ,  张国义 ,  童玉珍

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/30

摘要： 本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1‑xN/GaN 超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。有效的提高光场在激光发射区的限制因子，提高量子阱有源区的增益。

公开(公告)号：CN104319631A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410504147.4

申请日：2014-09-28

申请人： 北京大学东莞光电研究院 ,  东莞市中镓半导体科技有限公司

发明人： 贾传宇 ,  张国义 ,  童玉珍

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/30

摘要： 本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1-xN/GaN超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。有效的提高光场在激光发射区的限制因子，提高量子阱有源区的增益。