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公开(公告)号：CN104319631B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410504147.4
申请日：2014-09-28
申请人： 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中镓半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1‑xN/GaN 超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。有效的提高光场在激光发射区的限制因子，提高量子阱有源区的增益。
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公开(公告)号：CN104319631A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410504147.4
申请日：2014-09-28
申请人： 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中镓半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1-xN/GaN超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。有效的提高光场在激光发射区的限制因子，提高量子阱有源区的增益。
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公开(公告)号：CN106784188B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201611208338.1
申请日：2016-12-23
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
摘要： 一种具有复合电子阻挡层的近紫外LED的制备方法，在金属有机化合物气相外延反应室中依次生长低温GaN缓冲层、高温u‑GaN层和n‑GaN层，然后接着生长5‑10周期InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区，接着生长厚度为30nm‑80nm的p‑Aly2Inx2Ga1‑x2‑y2N电子阻挡层；接着在该p‑Aly2Inx2Ga1‑x2‑y2N电子阻挡层上生长多周期超晶格结构的p‑Aly2Ga1‑y2N/Aly1Inx1Ga1‑x1‑y1N复合电子阻挡层，最后通入Cp2Mg作为p型掺杂源，生长厚度为2nm‑3nm的p‑InGaN。本发明提高紫外光LED的有源区空穴注入效率，缓解有源区受到的压应力，改善水平方向空穴扩展，进而提高近紫外LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106299038B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510300906.X
申请日：2015-06-04
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种制备具有掺杂浓度及Al组分阶梯式变化的p型AlGaN/AlInGaN电子阻挡层近紫外LED的方法。其LED外延结构，电子阻挡层采用p型Aly1Ga1‑y1N/AlyInx1Ga1‑x1N超晶格结构,且Al组分随着超晶格周期数增加而阶梯式从0.2减少到0.05，Mg的掺杂浓度随着超晶格周期数的增加而阶梯式增加，相应的空穴浓度从0.5×1017cm‑3增加到2×1017cm‑3，其中AlGaN垒层的厚度范围在2‑5nm；GaN阱层厚度2nm‑5nm。通过设计紫外光LED新型电子阻挡层结构，可有效提高空穴注入效率，提高电子空穴复合发光效率，从而提高近紫外LED发光效率。
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公开(公告)号：CN106067492B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610631795.5
申请日：2016-08-04
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
发明人： 贾传宇
摘要： 本发明公开了一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98‑102nm的SiO2或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8‑1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4‑1.6微米，再将氮化镓单晶衬底清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，通过采用降低MOCVD反应室压力，提高V/III比的方式，控制氮化镓外延层的生长模式，外延层会在接续垂直生长的同时在掩膜图形层上侧向外延生长，制备出高亮度氮化镓基发光二极管。本发明制备的氮化镓基发光二极管散热性好。
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公开(公告)号：CN106711024A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611257930.0
申请日：2016-12-30
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/66462
摘要： 一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法，在Si衬底上生长AlN成核层、固定Al组分的AlyGa1‑yN应力释放层和GaN外延层，采用低压化学气相沉积法，铺设第一组碳纳米管，第一组碳纳米管排列方向平行于GaN外延层[1‑100]方向；生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成45度夹角的第二组碳纳米管，接着再生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成90度角的第三组碳纳米管，接着生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成135度角的第四组碳纳米管，再生长AlyGa1‑yN合并层。本发明能获得无龟裂、高晶体质量的GaN外延层。
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公开(公告)号：CN106328771A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510395363.4
申请日：2015-07-04
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
摘要： 本发明一种在金属氮化镓复合衬底上外延无裂纹高晶体质量LED外延层的方法：首先在N2气氛，750-850℃，反应室压力300torr下,将金属GaN复合衬底退火处理后，以0.2-1.0微米/小时的低速率生长100-300纳米厚的低温GaN应力释放层；然后在H2气氛、950-1050℃下，以从1微米/小时线性变化到3微米/小时的变速率生长1-2微米厚的高温非掺杂GaN缓冲层；接着以恒定生长速率生长1-2微米厚的n型GaN层；然后在N2气氛、750-850℃下，生长多周期InGaN/GaN多量子阱有源区；接着在H2气氛、950-1000℃下，生长p型AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层、p型GaN层；通过优化金属衬底生长初期载气、生长温度及生长速率等参数，有效缓解GaN外延层和金属衬底之间热失配，防止GaN分解，在金属衬底上制备出高质量GaN基LED外延层。
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公开(公告)号：CN105679650A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610029138.3
申请日：2016-01-15
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/0254
摘要： 本发明提供一种在Si衬底上制备高迁移率AlGaN/GaN电子功率器件的方法。先在Si衬底上采用金属有机化学气相外延技术生长20nm-30nm低温AlN成核层；然后生长高温200nm-300nm AlN缓冲层，在此基础上变温生长300nm Al0.2Ga0.8N应力调控层：生长800nm-1000nm高阻GaN外延层；生长10-20个周期Al0.2Ga0.8N/GaN应力调控层；生长800nm-1000nm高阻GaN外延层；然后生长15nmAlGaN/1nmGaN。本发明，有效地解决至今异质外延技术尚且存在的应力、翘曲及缺陷，获得无裂纹、高迁移率AlGaN/GaN电子功率器件。
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公开(公告)号：CN105161582A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510602684.7
申请日：2015-09-21
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
CPC分类号： H01L33/0075 , C23C16/44 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要： 本发明提供一种采用MOCVD技术制备深紫外LED方法，其特点是：在AlN和n-AlGaN接触层之间插入20至30周期其Al组分随生长周期数增加依次降低的超晶格应力调控层，以降低穿透位错密度和生长无龟裂高晶体质量的AlGaN外延层；采用Si、In共掺杂方法生长具有高电导率的n-AlInGaN接触层；采用非对称单量子阱有源区结构，使AlGaN材料的极化特性随Al含量增加而增强，极化电场对LED量子阱结构能带的调制使阱区能带发生倾斜，而非对称阱可以增加电子和空穴的波函数的交叠，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN105702826B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410687721.4
申请日：2014-11-25
申请人： 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
摘要： 本发明提供一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法。先在Si衬底上采用金属有机化学气相外延技术生长高温AlN成核层；然后，依次生长三层其Al组分梯度渐变的应力调控层：第一层为5个周期(30nm)AlxGa1‑xN/(30nm)Al0.5Ga0.5N应力调控层(其中Al组分x从100％变化到50％，插入层厚度0.3微米)；第二层为4个周期(25nm)AlyGa1‑yN/(25nm)Al0.2Ga0.8N应力调控层(其中Al组分y从50％变化到20％，插入层总厚度0.2微米)；第三层为3个周期(20nm)AlzGa1‑zN/(20nm)GaN应力调控层(其中Al组分z从20％变化到零，插入层厚度0.12微米)；在此基础上，生长GaN层(薄膜厚1‑1.5微米)；最终，得到无裂纹、高品质的Si衬底GaN薄膜，可供制备AlGaN/GaN HEMT器件等。
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