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公开(公告)号：CN117747693B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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公开(公告)号：CN116002758B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211323670.8
申请日：2023-02-09
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/18 , C01G41/02
Abstract: 本发明提供了一种二维掺铵六角相氧化钨的制备方法，包括：将5mL过氧化氢缓慢的加入到装有0.96g钨粉的20mL玻璃小瓶中，制备过氧钨酸溶液，其中，过氧化氢的质量分数为：30wt％，所述玻璃小瓶置于冰水混合物中；将溶解在10mL去离子水中的六亚甲基四胺缓慢加入到制备的过氧钨酸溶液中，并在磁力搅拌器中搅拌30分钟，得到混合溶液；将混合溶液转移到的不锈钢高压釜中的特氟龙内胆内，在200℃下水热反应24小时；高压釜自然冷却至室温，将得到的样品用去离子水洗涤、离心并在自然环境中干燥。本发明一步式水热法制备二维掺铵六角相氧化钨(h‑(NH4)xWOy)，获得高离子掺杂浓度的二维掺杂六角相氧化钨材料，简化实现方式。
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公开(公告)号：CN117761920B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311571482.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于“BP‑AHA”异质集成的多模式微环谐振调制器包括，全通型微环，以及沉积在全通型微环内部的漏极、沉积在全通型微环外部的源极；源极和漏极之间由BP‑AHA结构连接，并且在BP‑AHA结构顶部沉积栅极。本发明可以通过栅极施加电压进行电压调制，也可以通过空间激光进行调制，实现了单器件的多模式调制，有一定的应用场景。
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公开(公告)号：CN118131394A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410279571.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本申请涉及硅光子器件领域，公开了一种用于硅基光子卷积乘法运算的感光器件及其制备方法，所述感光器件包括一个硅基波导结构，设计用于传输光信号；至少一个锗区域，位于所述硅基波导结构的上方，并与之耦合，用于对通过所述硅基波导结构的光信号进行调制。本发明利用硅波导结构传输光信号，结合锗区域的感光效应对光信号进行高效调制，通过锗区吸收空间光，引起锗区载流子分布改变，再通过倏逝耦合影响锗区下的硅波导折射率，引起硅波导中的模式光相位和幅度的改变，从而实现空间光信息加载，实现卷积乘法运算功能，适用于高速光通信和光学信号处理领域。
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公开(公告)号：CN117784291A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810095.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B1/00 , G01N21/3563
Abstract: 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117782317A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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公开(公告)号：CN117779188A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311802994.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/68 , C30B29/40 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中，As/In束流比为7～11。本发明优化As/In的束流比，在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117747693A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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公开(公告)号：CN117747691A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311563148.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管，衬底，在衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至第一接触层的台阶；第一接触层上形成第一金属电极，第二接触层上形成第二金属电极，并且第二接触层、第二异质结、第一异质结和第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；第一异质结为中波异质结，第二异质结为长波异质结；第一接触层为中波N型接触层，第二接触层为长波N型接触层。本发明具有高响应度、高光电增益、高探测率、低暗电流、低串扰等优点，实现对多个波段的探测。
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公开(公告)号：CN117332837A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311337071.6
申请日：2023-10-16
IPC: G06N3/067 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子色散效应调制的光子卷积神经网络芯片，包括脉冲生成模块、信号加载模块、卷积处理模块和光电转换模块；脉冲生成模块，用于生成m行光脉冲，每一行光脉冲包括n个不同波长的光脉冲；信号加载模块对输入信号加载模块的图像数据与光脉冲调制成映射关系，使光脉冲携带图像数据；卷积处理模块将携带图像数据的光脉冲与卷积核权重调制成映射关系，对光脉冲携带的图像数据进行卷积运算；光电转换模块，包括m个平衡探测器，每一行叉复用微环谐振器连接每一个平衡探测器；每一个平衡探测器依次连接跨阻放大器和电流加法器。本发明使数据的存储运算一体化，提高了卷积的计算速度，提升计算的吞吐量，降低了计算的功耗。
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