公开(公告)号：CN119308012A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411430204.9

申请日：2024-10-14

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  陈雨豪 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及半导体材料分子束外延生长制造领域，公开了一种控制As背景压强以减少InAs/GaSb表面缺陷的方法，包括以下步骤：S1：衬底准备与预处理，选择适合的GaSb单晶衬底，并对GaSb衬底进行选择、清洁、除气和脱氧处理；S2：GaSb缓冲层的外延生长，在经过处理的GaSb衬底上外延生长GaSb缓冲层；S3：As背景压强的控制，在GaSb缓冲层生长过程中，通过调节As针阀的开度，控制和稳定腔体内的As背景压强；S4：InAs/GaSb超晶格的生长，在控制好的As背景压强条件下，逐层生长InAs和GaSb超晶格结构。通过精确控制As背景压强，可以有效减少InAs/GaSb表面形成的“亮点”缺陷和其他表面缺陷，提高超晶格材料的表面质量。

公开(公告)号：CN117779188A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311802994.4

申请日：2023-12-26

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 祝连庆 ,  陈雨豪 ,  鹿利单 ,  董明利 ,  何彦霖 ,  陈伟强 ,  张旭

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/68 ,  C30B29/40 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中，As/In束流比为7～11。本发明优化As/In的束流比，在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。