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公开(公告)号：CN105845743A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510014327.9
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/88
Abstract: 本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种基于InGaAs/AlAs的共振隧穿二极管，在InP衬底层上制作具有不同In组分的InGaAs形成分级发射层结构。可以降低电子在二极管内部的渡越时间，提高工作速度；采用应变InxGa1-xAs(其中x＝0.8)为势阱材料，可以降低起始电压和峰值电压；分别在发射层和第一势垒层，收集区和第二势垒层之间沉积未掺杂InGaAs层，形成隔离区，可以阻止重掺杂区的杂质向DBS区扩散。本发明在室温下能观察到明显的微分负阻现象，得到极高频率和工作速度的共振隧穿二极管，可以更有效地应用于高速数字电路和高频振荡波器件、组装高质量的显示器等技术领域。
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公开(公告)号：CN103367480B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310302507.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 索尼公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
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公开(公告)号：CN105280745A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410247480.1
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有特殊结构形态的石墨烯键合面，石墨烯键合面优异的导电性和透光性使其可有效抑制键合界面电损耗和光损耗，其延展性有助于释放应力。因此制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，获得较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN105099365A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410205739.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的测试设备，包括：可控温承载台，用于承载待测试的太阳能电池，并将待测试的太阳能电池的温度保持在一预定温度；电子束发射装置，位于可加热承载台的上方，用于发射电子束对待测试的太阳能电池的表面进行扫描；光电转换装置，设置于可加热承载台与电子束发射装置之间，用于采集待测试的太阳能电池的表面经过所述电子束激发后产生的光信号，并将采集的光信号转换为电信号；计算处理装置，用于接收光电转换装置产生的电信号，并对接收到的电信号进行计算处理，获得待测试的太阳能电池的扩散长度。本发明的太阳能电池的测试设备，其结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN102738292B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210203859.3
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本发明还提供一种多结叠层电池的制备方法，包括步骤：1）提供一第一衬底、一第二衬底；2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层；3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层；4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102723397B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210203861.0
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层，第二薄膜与有源区之间还包括一与第二薄膜相异质的第二渐变缓冲层。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层；2）在第一渐变缓冲层裸露表面外延生长有源区；3）在有源区裸露表面生长第二渐变缓冲层；4）在第二渐变缓冲层裸露表面生长与第二渐变缓冲层相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
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公开(公告)号：CN102299159B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201110235554.6
申请日：2011-08-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，该两个双结电池通过晶格异变生长渐变过渡层串联，所述渐变过渡层包括AlxIn1-xAs渐变过渡层，其中x=1~0.48；其制备方法为：在采用晶格变异法依次生长形成与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池的过程中，采用In组分线性渐进和/或步进的方法生长渐变过渡层将该两个双结电池串联。本发明四结级联太阳电池具有1.90eV、1.42eV、~1.03eV、0.73eV的带隙组合，可实现对太阳光谱的充分利用，减小各个子电池间的电流失配和光电转换过程中的热能损失，进而提高电池效率，且其制备方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102738267A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210203843.2
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。
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公开(公告)号：CN101859813B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010165596.2
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/06875 , Y02E10/544
Abstract: 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电池的底电池，又作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，从而可以获得超过45％的转换效率。本发明减少了机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。
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公开(公告)号：CN101859813A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010165596.2
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/06875 , Y02E10/544
Abstract: 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电池的底电池，又作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，从而可以获得超过45％的转换效率。本发明减少了机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。
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