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公开(公告)号：CN102167568A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010604317.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C04B35/117 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法。该陶瓷材料包含按重量百分比计的如下组分：氧化铝Al2O3 20-75wt％，氧化锆10-40wt％，稀土氧化物10-60wt％。该陶瓷涂层是采用如上所述陶瓷材料制备的，且至少其主体部分具有非晶结构。该陶瓷涂层是通过将前述陶瓷材料首先制成非晶颗粒后，再采用热喷涂工艺等喷涂到基体上形成具有非晶结构涂层的，该涂层经进一步的热处理即可获得非晶纳米晶结构的涂层。本发明采用的原料组分简单，廉价易得，形成的涂层具有良好的韧性和强度以及优异的耐磨、耐腐性能，且工艺简洁易操作，适于大规模化生产。
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公开(公告)号：CN101859813B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010165596.2
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/06875 , Y02E10/544
Abstract: 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电池的底电池，又作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，从而可以获得超过45％的转换效率。本发明减少了机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859813A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010165596.2
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/06875 , Y02E10/544
Abstract: 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电池的底电池，又作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，从而可以获得超过45％的转换效率。本发明减少了机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。
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公开(公告)号：CN102352532A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110282159.3
申请日：2011-09-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 一种非线性光学晶体硼酸钠钙及其制备方法和应用。该光学晶体硼酸钠钙为具有厘米级尺度的单晶，其分子式为NaCa4B3O9，属于正交晶系，分子量为359.73，单胞参数为：a=10.68004(11)Å，b=11.28574(11)Å，c=6.48521(6)Å；其制备方法为：以硼酸钠钙多晶粉末等为原料，利用助熔剂法生长形成目标产物。本发明原料来源广泛，廉价易得，且制备工艺简单易操作，周期短，获得的产品具有厘米级尺度，包裹体少，其非线性光学效应约等同于同条件下测试的KDP非线性光学效应的2/3，激光损伤阈值较大，机械性能好，不易碎裂，物化性质稳定，不潮解，透光波段220nm至3000nm，在紫外、深紫外区域具有较宽的透光范围，易加工、保存，适于在紫外倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中广泛应用。
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公开(公告)号：CN101239518B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710302522.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种复合涂层材料，包括基材层和喷涂在基材层表面的复合涂层，所述复合涂层包括采用超音速喷涂工艺将高聚物喷涂在基材表面而形成的高聚物缓冲层，和采用超音速喷涂工艺将非有机材料喷涂在高聚物缓冲层表面而形成的非有机涂层。其制备方法包括以下步骤：(1)将高聚物通过超音速火焰喷涂法喷涂到器件表面；(2)采用超音速火焰喷涂工艺，将由纳米颗粒组成的非有机材料颗粒喷涂到步骤(1)获得的材料表面，从而制成具有有机高聚物缓冲层的复合涂层材料。本发明获得的复合涂层材料由于具有高聚物缓冲层，既保护了基材层，又使得复合层和基材层具有良好的附着力和结合性，同时还保证了复合涂层与基材层之间的零空隙率。
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公开(公告)号：CN102167568B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010604317.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C04B35/117 , C04B35/488 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法。该陶瓷材料包含按重量百分比计的如下组分：氧化铝Al2O3 20-75wt％，氧化锆10-40wt％，稀土氧化物10-60wt％。该陶瓷涂层是采用如上所述陶瓷材料制备的，且至少其主体部分具有非晶结构。该陶瓷涂层是通过将前述陶瓷材料首先制成非晶颗粒后，再采用热喷涂工艺等喷涂到基体上形成具有非晶结构涂层的，该涂层经进一步的热处理即可获得非晶纳米晶结构的涂层。本发明采用的原料组分简单，廉价易得，形成的涂层具有良好的韧性和强度以及优异的耐磨、耐腐性能，且工艺简洁易操作，适于大规模化生产。
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公开(公告)号：CN102339889A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110271244.X
申请日：2011-09-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示了一种应用于太阳光谱长波段的双结串联式InGaAs/InGaAsP高效双端太阳电池的制作方法。本发明利用p+InGaAs/n+InGaAs作为隧道结，将基于InP衬底上的InGaAs和InGaAsP太阳电池结果串联生长，使之波长满足能量在0.74eV和1.05eV的吸收，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换。在长波长太阳光谱中常用的机械式级联太阳电池系统因为使用多个不同衬底而导致成本较高，本发明只用一个衬底，从而大大降低了成本；同时，串行式两端器件结构还有效解决了机械级联或者三端器件中上下不同电池的电极设计及准直问题。
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