公开(公告)号：CN103247637A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310152953.5

申请日：2013-04-27

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 任昕 ,  杨晓杰 ,  边历峰 ,  任雪勇

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，其特征在于：所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成，所述第二量子点探测器结构主要由第二N+中间接触层、第二量子点有源区、N+上接触层结构，各接触层上设有对应的引出电极，其特征在于在所述第一量子点探测器结构和第二量子点探测器结构之间，设置有P+公共接触层，所述P+公共接触层设有公共电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗光盲和抗辐照功能。

公开(公告)号：CN102339889A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110271244.X

申请日：2011-09-14

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 何巍 ,  董建荣 ,  陆书龙 ,  熊康林 ,  赵勇明 ,  任雪勇 ,  黄伍桥 ,  杨辉

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示了一种应用于太阳光谱长波段的双结串联式InGaAs/InGaAsP高效双端太阳电池的制作方法。本发明利用p+InGaAs/n+InGaAs作为隧道结，将基于InP衬底上的InGaAs和InGaAsP太阳电池结果串联生长，使之波长满足能量在0.74eV和1.05eV的吸收，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换。在长波长太阳光谱中常用的机械式级联太阳电池系统因为使用多个不同衬底而导致成本较高，本发明只用一个衬底，从而大大降低了成本；同时，串行式两端器件结构还有效解决了机械级联或者三端器件中上下不同电池的电极设计及准直问题。

公开(公告)号：CN101950774A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010255784.4

申请日：2010-08-17

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵勇明 ,  陆书龙 ,  董建荣 ,  任雪勇 ,  熊康林 ,  何巍 ,  杨辉

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，由基于GaAs衬底生长的GaInP/GaAs双结太阳电池和基于InP衬底生长的InGaAs/InGaAsP双结太阳电池集成；利用InP作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.05/0.72eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，在AM1.5G的辐照下，一个太阳下实现了32.8％的效率。基于两种双结电池的研制，本发明提出了键合四结太阳电池，以减少机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。

公开(公告)号：CN103247637B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310152953.5

申请日：2013-04-27

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 任昕 ,  杨晓杰 ,  边历峰 ,  任雪勇

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，其特征在于：所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成，所述第二量子点探测器结构主要由第二N+中间接触层、第二量子点有源区、N+上接触层结构，各接触层上设有对应的引出电极，其特征在于在所述第一量子点探测器结构和第二量子点探测器结构之间，设置有P+公共接触层，所述P+公共接触层设有公共电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗光盲和抗辐照功能。