-
公开(公告)号：CN113708739B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111000441.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，串联臂谐振器和所述并联臂谐振器之间的夹角在预设夹角区间内；每个谐振器包括：支撑衬底、压电薄膜和多个电极，压电薄膜设置在支撑衬底上，多个电极设置在压电薄膜上。基于本申请实施例通过将串联臂谐振器和并联臂谐振器之间的夹角设置在预设夹角区间内，可以抑制瑞利杂波，提高滤波器的综合性能。
-
公开(公告)号：CN113328723B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110665708.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电层中。通过本发明提供的弹性波谐振器及其制备方法，改善了现有弹性波谐振器声学能量泄露的问题。
-
公开(公告)号：CN117950242A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058164.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种光学频率梳产生装置、光学系统及光电设备。光学频率梳产生装置包括：泵浦光源和集成光子芯片；泵浦光源用于产生泵浦光；集成光子芯片包括钽酸锂器件层；钽酸锂器件层中形成有耦合波导和环形谐振腔；耦合波导靠近环形谐振腔设置；耦合波导用于将泵浦光源产生的泵浦光耦合进环形谐振腔，以使环形谐振腔产生光学频率梳。通过采用在钽酸锂器件层中形成环形谐振腔，由于钽酸锂具有较小的双折射效应，可以有效地减弱横向模场和纵向模场的兼并，即其腔内模场间不会产生干扰，使其能够同时满足环形谐振腔中模式交叉的消除以及平面内高电光效应的保持，从而实现高速可调谐、大转换效率片上光学频率梳。
-
公开(公告)号：CN113922784B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
-
公开(公告)号：CN117637476A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311746500.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种晶圆键合方法，通过在外延生长GaN/AlN的过程中，引入富氢的GaN/AlN介质层，进一步达到降低剥离过程中离子注入剂量的方法，以提高剥离下来的GaN/AlN薄膜的质量，达到更好的异质集成效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117293031A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311280397.X
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种Ga极性氮化镓电子器件的制备方法及器件。该方法包括：获取第一器件结构；将第一器件结构与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，得到第二器件结构；根据第三支撑衬底的热膨胀系数和氮化镓的热膨胀系数，确定目标键合温度控制方式；将第三支撑衬底与第二器件结构中暴露的氮化镓薄膜表面进行键合，解除目标键合温度控制方式后，异质结结构中的氮化镓沟道层受到压应力；去除第二支撑衬底，得到Ga极性氮化镓电子器件。该方法可以增强氮化镓的极化效应，提高异质结结构中二维电子气的密度，进而提升Ga极性氮化镓电子器件的性能。
-
公开(公告)号：CN113097124B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110361588.3
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法，基于剥离GaN单晶晶片可获得低位错密度、低缺陷密度、高质量的GaN单晶薄膜；GaN单晶薄膜先经离子束剥离转移到热失配较小的蓝宝石单晶晶片上，而后经激光剥离转移到支撑衬底上，制备过程中无需担心解键合的问题，可降低异质集成热失配较大或表面粗糙度较大的材质时的工艺难度；最终获得的GaN单晶薄膜的Ga极性面向上，可兼容目前主流的GaN器件，且GaN单晶薄膜表层区域的离子注入缺陷少、晶体质量好；可灵活选择支撑衬底，发挥支撑衬底优势，扩大应用；剥离后的GaN单晶晶片可回收利用，降低成本。本发明通过异质集成，可制备高导热、高性能的GaN器件。
-
公开(公告)号：CN117008320A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310838942.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法，首次提出碳化硅色心双轴应力调控的方案，可以同时在色心与牛眼腔微腔耦合的同时对色心进行调控。双轴应力调控相比与单轴应力调控自由度更大，调制幅度更大。本发明有效验证了应力场下色心哈密顿量和自旋量子态的理论模型，对碳化硅色心超高精度量子传感应用具有重大意义。
-
公开(公告)号：CN116819805A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310736866.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器。通过基于碳化硅衬底进行同质外延得到N型低掺杂碳化硅薄膜层，后续对N型低掺杂碳化硅薄膜层再进行N型不同浓度的掺杂以及P型掺杂，以形成能够实现载流子色散效应的掺杂层，然后通过先与第一支撑衬底键合，以去除碳化硅衬底，再与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，从而得到能够避免光在N型低掺杂碳化硅薄膜层向衬底泄露的高效和高速的光调制器。
-
公开(公告)号：CN116755265A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310641466.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于声光耦合的非互易性波导器件及制备方法和应用，所述波导器件包括：衬底、SiC‑LN异质薄膜、金属叉指结构，其中SiC‑LN异质薄膜设在所述衬底上，金属叉指结构设在所述SiC‑LN异质薄膜上。本发明结合LN、SiC的优异材料性能，利用特殊的晶圆集成方法和易实现的加工工艺获得基于SiC/LN/SiC异质结构的波导耦合结构，其能够局域地限制光波和声表面波，再结合金属叉指结构、光栅耦合器和声波散射结构可实现高场重叠、长耦合距离的声光耦合效应，进而获得满足模式间散射条件的非互易性波导。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
382
records
(took 0.068 seconds)
