公开(公告)号：CN106711121B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201510770462.6

申请日：2015-11-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 熊斌 ,  蒋万里 ,  徐德辉 ,  王跃林 ,  马颖蕾

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后接触孔部分形成用于电连接的硅柱通孔结构和非接触孔部分形成金属环的密封结构；所述硅柱通孔结构上的金属接触用于电连接，实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连；所述硅柱通孔结构外表面金属层用于降低硅柱电阻；所述硅片上的金属环用于键合工艺，实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构，能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题；可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接；完全平面化引线连接，可以实现多层堆叠；可以实现晶圆级的电学连接。

公开(公告)号：CN110165043A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910412250.9

申请日：2019-05-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  何云乾 ,  刘延祥 ,  王跃林

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/28 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供一种基于黑薄膜的热电红外探测器及其制备方法，方法包括：提供一种半导体单晶衬底，在衬底表面制备出薄膜掩膜，刻蚀出窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备单层或复合薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑薄膜；以黑薄膜为红外吸收区，在其周围制备数条热电偶，然后沉积金属互连线以串联所有热电偶；以及释放所述黑薄膜，制备出基于黑薄膜的热电红外探测器。本发明提出一种黑薄膜制备技术，利用其对光的多次反射损耗增强热电红外吸收率的特性，将其与热电红外探测相结合，明显提高热电红外探测器的探测率和输出响应，增强红外探测性能，并且该方法与CMOS工艺兼容，可批量制备。

公开(公告)号：CN105428518B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510778969.6

申请日：2015-11-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 熊斌 ,  冯端 ,  徐德辉 ,  马颖蕾 ,  陆仲明 ,  王跃林

IPC: H01L41/04 ,  H01L41/22 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN105988090B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201510051986.X

申请日：2015-01-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 熊斌 ,  徐华英 ,  徐德辉 ,  马颖蕾 ,  王跃林

IPC: G01R33/028 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子和依次形成于所述谐振振子表面上的绝缘层及至少一层金属线圈。本发明采用S型折叠梁实现弹性梁和锚点的连接，保证了谐振振子谐振时是沿垂直于谐振振子的方向移动，相比于一般的双端固支梁的组成的方环形而言，大大提高了谐振梁所围成面积单位时间内的变化量，进而增加了金属线圈内磁通量的变化，进一步增大了磁场的灵敏度。同时，在金属线圈的绝缘层下添加接地铝层，可有效避免谐振振子的信号耦合到金属线圈。本发明结构简单，不需要在金属线圈上通入电流，降低了器件的功耗；同时通过测量金属线圈两端的感应电动势来测量磁场大小，因此受温度影响小。

公开(公告)号：CN104003352B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201410264566.5

申请日：2014-06-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯飞 ,  张云胜 ,  王跃林

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种基于吸气剂薄膜的混合晶圆级真空封装方法及结构，该方法包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔；b）键合所述垫片及所述衬底片；c）将待封装芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并将所述吸气剂固定于朝向所述芯片封装腔的盖片表面；e）键合所述盖片及所述垫片并激活吸气剂。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将非致冷红外探测器芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护非致冷红外探测器芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；采用吸气剂薄膜维持腔体的真空度，可降低真空封装的体积；只对已通过测试的非致冷红外探测器芯片进行真空封装，降低了封装成本。

公开(公告)号：CN108074979A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711236051.4

申请日：2017-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高安然 ,  赵兰天 ,  赵清太 ,  李铁 ,  王跃林

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明提供一种基于垂直遂穿的场效应晶体管及生物传感器及制备，晶体管制备包括：提供SOI衬底；减薄顶层硅，定义出硅纳米线沟道图形及连接于两端的源区图形及漏区图形；将上述图形转移至顶层硅上，并进行离子注入形成硅纳米线沟道、源区及漏区；减薄源区，并于部分源区表面及纳米线沟道表面形成介质层；于源区的表面制作源电极，于所述漏区表面制作漏电极，并于底层硅或埋氧层上制作栅电极。通过上述方案，本发明的晶体管基于垂直隧穿，包含点隧穿和线隧穿，具有更低的亚阈值斜率，可用于高灵敏的生化分子检测；具有双极特性，可对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性；采用高K介质层材料，增强检测的稳定性并提高对生物分子的响应能力。

公开(公告)号：CN108007580A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711447533.4

申请日：2017-12-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  田伟 ,  王跃林

IPC: G01J5/12 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。

公开(公告)号：CN107871666A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710872129.5

申请日：2017-09-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  何云乾 ,  王跃林

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的制作方法，包括步骤：提供一{100}半导体衬底，在该衬底上制备成对凹槽；采用各向异性腐蚀法腐蚀成对凹槽内衬底材料，槽侧壁形成似锯齿型结构；在凹槽底部制作与其窗口中心对准的新凹槽，再各向异性腐蚀得到新的似锯齿型结构；采用高温氧化技术在成对槽之间的壁上形成被被包裹在被氧化的半导体璧中的垂直堆叠集成的半导体纳米线；最后在该半导体纳米线两端和中间制作源、漏、栅极，形成场效应晶体管。本发明工艺过程简单，仅需采用普通光刻技术等常规MEMS工艺，设备参数设计具有一般性，成本低廉，只需根据目标刻蚀深度控制刻蚀时间即可，可控性高，易于实现。

公开(公告)号：CN103928342B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410165328.9

申请日：2014-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高安然 ,  李铁 ,  戴鹏飞 ,  鲁娜 ,  王跃林

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种硅纳米线隧穿场效应晶体管及其制作方法，包括步骤：1）提供一SOI衬底，包括底层硅、埋氧层及顶层硅；2）减薄所述顶硅层并于表面形成二氧化硅层；3）采用光刻工艺及湿法腐蚀工艺形成硅纳米线沟道、源区及漏区；4）于所述源区、漏区的周侧及硅纳米线沟道的一侧形成保护层，采用湿法腐蚀工艺对所述硅纳米线沟道的另一侧进行腐蚀，形成具有三角形截面的硅纳米线沟道；5）于所述硅纳米线沟道表面形成氧化层；6）形成源区及漏区；7）制作源电极及漏电极。本发明的硅纳米线基于自上而下方法，采用氮化硅侧壁保护和TMAH各向异性自停止腐蚀实现制作，工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容，成本较低，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN104122223B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201410386280.4

申请日：2014-08-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  刘延祥 ,  周宏 ,  王跃林

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明涉及一种双光程多气体红外气体传感器，主要包括双光程多气体检测腔、红外光源、多元探测器、防水透气膜、信号放大模块、模数转换模块、信号处理模块、通讯显示模块。所述双光程多气体检测腔包括环形腔和盖板。红外光源发出红外光的下半部分经平面反光镜反射后到达多元探测器下半部分，构成第1短光程；红外光源发出红外光的上半部分经环形腔内表面多次反射后到达多元探测器上半部分，构成第2长光程，在单腔室内实现了长、短两种光程。本发明可以满足红外吸收率不同气体同时检测的要求，同时还可以满足同种气体不同检测精度的需求，方便实现多气体检测及识别，可广泛应用于多种场合下气体的实时监测。