公开(公告)号：CN102208450A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110139625.2

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 一种用于高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底，在P形衬底上设有P型外延层，在P型外延层上设有高压区、低压区、高低压结终端区、第一P型结隔离区和半环形P型结隔离区且半环形P型结隔离区的两端与第一P型结隔离区连接，其特征在于，所述的半环形P型结隔离区由半环形P型埋层及半环形P型阱区组成，半环形P型阱区位于半环形P型埋层上方，在半环形P型埋层的两端与第一P型结隔离区之间分别设有第一间隙和第二间隙，所述P形衬底和P型外延层向第一间隙和第二间隙延伸并填实。本发明解决了P型埋层引入造成的高低压结终端区中发局部击穿问题，使得LDMOS与周围部分有效隔离。

公开(公告)号：CN111430454B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010323101.8

申请日：2020-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  龚金丽 ,  祝靖 ,  杨兰兰 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有有埋氧层，在埋氧层上方设有N型漂移区，其上有P型体区、场氧层和集电极区，在P型体区内设有相连的P阱，在P阱内设有P型发射极区，在P型发射极区上设有N型发射极区，在P型体区、P阱、P型发射极区、场氧层和集电极区上方设有氧化层，在场氧层与氧化层之间设有多晶硅栅且延伸至P阱的上方，在P阱、P型体区与多晶硅栅之间设有栅氧化层，所述集电极区包括设在N型漂移区内且被N型漂移区隔离的重掺杂的N型集电极区和轻掺杂的N型集电极区，在重掺杂的N型集电极区内设有轻掺杂的P型集电极区，在轻掺杂的N型集电极区内设有重掺杂的P型集电极区。

公开(公告)号：CN112420824B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202011448442.4

申请日：2020-12-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  崔永久 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种消除负阻效应的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，在N型漂移区上设有氧化层沟槽、第二氧化层埋层及第三氧化层埋层，所述氧化层沟槽位于N型缓冲层与阳极N型重掺杂区间，所述第二氧化层埋层及第三氧化层埋层沿所述晶体管横向设置于阳极N型重掺杂区的下方，在氧化层沟槽与第二氧化层埋层之间设有第一P型埋层。并且，所述第一P型埋层始自所述氧化层沟槽的边界且向所述晶体管边界延伸并至少到达与所述氧化层沟槽相邻的第二氧化层埋层的一端，第二氧化层埋层的另一端与晶体管边界之间留有N型漂移区的一部分，在氧化层沟槽内设有与阳极(A)相连接的阳极多晶硅栅且阳极多晶硅栅位于第一P型埋层的侧方位上。

公开(公告)号：CN112768521B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201911001601.3

申请日：2019-10-21

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 祝靖 ,  朱桂闯 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。

公开(公告)号：CN113314591A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110577494.X

申请日：2021-05-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  刘新宇 ,  祝靖 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种低饱和电流的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有P型体区和漏极N型重掺杂区,P型体区内设有源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区，源极P型重掺杂区和源极N型重掺杂区经源极金属引出共同构成器件的源极，漏极N型重掺杂区经漏极金属引出构成器件的漏极，在N型漂移区上方设有场氧，在场氧内设有多晶硅栅极和多晶硅场板，其特征在于，在N型漂移区还设有P‑top埋层，P‑top埋层通过源极金属连接到器件的源极，所述多晶硅场板起始于P‑top埋层上方并延伸至N型漂移区的上方。

公开(公告)号：CN112768517A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911065246.6

申请日：2019-11-04

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  马杰 ,  顾炎 ,  张森 ,  祝靖 ,  龚金丽 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。

公开(公告)号：CN110690821A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910976503.5

申请日：2019-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陶涛 ,  许胜有 ,  钱钦松 ,  祝靖 ,  时龙兴

IPC: H02M3/158 ,  H02M3/157

Abstract: 本发明提出升降压谐振变换器相移计算的控制系统及控制方法，属于谐振变换器的控制技术领域。控制系统包括：以微控制器为核心的控制电路、GaN驱动电路、采样隔离放大电路、采样电路。以微控制器为核心的控制电路包括：AD模块，占空比D计算模块，相移Phase计算模块，HRPWM模块。该控制系统通过计算占空比和相移补偿，补偿后的相移不仅能够满足第一开关管和第二开关管均实现零电压开关，而且实现了精确控制，消除了稳态误差，提高了系统的响应速度。保证升降压谐振变换器的输出电压和负电流稳定地工作在设定的范围内。相移的控制过程考虑了多方面因素的影响，受波动小，负电流控制精确。

公开(公告)号：CN110190113A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910410221.9

申请日：2019-05-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  邹艳勤 ,  李少红 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 一种消除负阻效应的阳极短路型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有氧化层埋层，在氧化层埋层上设有N型漂移区，其特征在于，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在N型漂移区内设有LIGBT和NMOS，所述LIGBT包括第一N型重掺杂区，在第一N型重掺杂区内设有P型重掺杂阳极区，所述NMOS包括第二N型重掺杂区，在第二N型重掺杂区内设有P型阱区，在P型阱区内包围有N型重掺杂阳极区，所述第二N型重掺杂区与P型阱区电连接，在二氧化硅氧化层内设有多晶硅栅且所述多晶硅栅自N型重掺杂阳极区的上方区域跨过P型阱区并进入第二N型重掺杂区的上方区域，所述多晶硅栅还与N型重掺杂阳极区及P型重掺杂阳极区连接。

公开(公告)号：CN109860301A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910055795.9

申请日：2019-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李阿江 ,  李少红 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。

公开(公告)号：CN106024876B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610576522.5

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈佳俊 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重掺杂P型集电极区，在相邻的重掺杂P型集电极区之间设有第一N型重掺杂区，P型体区内设有P型阱区，P型阱区设有重掺杂P型发射极区，重掺杂P型发射极区周边设有重掺杂N型发射区，在N型漂移区内设有氧化层隔离沟槽，所述沟槽与器件边界共同形成一N型漂移区的局部封闭区，各第一N型重掺杂区分别被氧化层隔离沟槽包围且相邻的重掺杂P型集电极区与N型重掺杂区被氧化层隔离沟槽隔离。